[实用新型]一种硅片的分选屏及硅片检测仪有效
申请号: | 201720557774.3 | 申请日: | 2017-05-18 |
公开(公告)号: | CN207116378U | 公开(公告)日: | 2018-03-16 |
发明(设计)人: | 李琰琪;赵素香;姜欣利;王栩生;涂修文;邢国强 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/66;G01N21/95 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人: | 胡彬 |
地址: | 215129 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅片 分选 检测 | ||
技术领域
本实用新型涉及硅片测试技术领域,尤其涉及一种硅片的分选屏及硅片检测仪。
背景技术
光伏检测综合分析系统(Photoluminescence,PL)和红外缺陷测试仪(Electroluminescence,EL)是非常重要的光伏测试仪器,它们能有效分辨出硅片的缺陷,如绒丝、黑边、黑心、结区摩擦、漏浆、断栅、反向击穿、烧结不良等,其功能相当于太阳能硅片测试的“眼睛”,尤其是PL,能够在电池片的制造起点起到一个“监控”的作用。
黑边是硅片常见的一种缺陷,硅片的边缘区域的少子的寿命偏低一般称之为黑边。少子,即少数载流子,是半导体物理的概念,它相对于多子而言。半导体材料中有电子和空穴两种载流子。如果在半导体材料中某种载流子占少数,导电中起到次要作用,则称它为少子,如在N型半导体中,空穴是少数载流子,电子是多数载流子;在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。少子寿命指少子的平均生存时间,寿命标志少子浓度减少到原值的1/e所经历的时间。对太阳能电池来说,少子寿命越短,电池效率越低。
目前,行业内一般将满足以下条件的硅片定义为黑边硅片:
1、硅片边缘区域的少子的寿命小于0.9μs;
2、该边缘区域内少子的形态特征为聚集;
3、该边缘区域内少子的平均寿命低于硅片的平均寿命。
黑边一般按黑边的分布分为一字型黑边和L型黑边,图1为一字型黑边, 图2为L型黑边。判断具有黑边的硅片是否合格,主要的判断参考为黑边宽度极大值,在黑边区域中垂直于最近的硅片边缘的最大线段的长度成为黑边宽度极大值,目前行业中普遍定义:黑边宽度临界值等于硅片边长的四分之一,若黑边宽度极大值大于硅片边长的四分之一,则该黑边硅片不合格。
现有技术中在判断黑边硅片是否合格时,没有检测黑边硅片,尤其是L型黑边硅片的黑边宽度极大值的准确算法,主要靠工作人员肉眼估量,随意性很大,判断不准确。
实用新型内容
本实用新型的第一目的在于提出一种硅片的分选屏,能够准确判断黑边宽度极大值与黑边宽度临界值的大小,从而判断硅片是否合格。
为达此目的,本实用新型采用以下技术方案:
一种硅片的分选屏,用于硅片检测仪,所述分选屏覆盖于硅片检测仪的屏幕上并与所述屏幕上显示的硅片的图像重合,所述分选屏上设置有刻度,所述刻度与靠近的所述分选屏的顶角之间的距离为合格的硅片的黑边宽度临界值。
其中,所述分选屏的形状为正方形,所述刻度包括分别设置于所述分选屏的每条边上、用于判断具有一字型黑边的硅片是否合格的两个第一刻度值,每个所述第一刻度值距靠近的顶角的距离为所述黑边宽度临界值,
当一字型黑边与所述分选屏的两条边相交形成的两个交点分别至靠近的所述分选屏的顶角的距离均小于所述黑边宽度临界值时,所述硅片合格;
当一字型黑边与所述分选屏的两条边相交形成的两个交点中的任一个至靠近的所述分选屏顶角之间的距离均大于所述黑边宽度临界值时,所述硅片不合格。
其中,所述刻度包括设置于所述分选屏的每条对角线上、用于判断具有L 型黑边的硅片是否合格的两个第二刻度值,每个所述第二刻度值距靠近的所述分选屏的顶角的距离为所述黑边宽度临界值,
当L型黑边与所述分选屏的每条对角线的交点分别至靠近的所述分选屏的顶角的距离均小于所述黑边宽度临界值时,所述硅片合格;
当L型黑边与所述分选屏的每条对角线的交点中的任一个至靠近的所述分选屏的顶角之间的距离大于所述黑边宽度临界值时,所述硅片不合格。
其中,所述刻度还包括沿着所述分选屏的每条边及每条对角线的长度方向等间距排布的第三刻度值,所述第三刻度值用于读取硅片的黑边宽度。
其中,所述黑边宽度临界值为硅片边长的1/8-1/3。
其中,所述分选屏为柔性塑料透明贴纸或玻璃塑料屏幕。
本实用新型的第二目的在于提出一种能够准确判断黑边宽度极大值与黑边宽度临界值的大小的硅片检测仪。
为达此目的,本实用新型采用以下技术方案:
一种硅片检测仪,包括上述的分选屏。
其中,所述硅片检测仪为PL检测仪或EL检测仪。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造