[实用新型]一种用于检测平面VDMOS栅击穿的测试结构

权利要求书

1.一种用于检测平面VDMOS栅击穿的测试结构，其特征在于，包括外延层(1)、阱区(2)、源区(3)、栅氧层(4)、介质层(6)、开孔区(9)、金属层(7)、多晶电容板(5)和多晶保护环(8)；

所述阱区(2)覆盖在外延层(1)之上的部分表面；

所述源区(3)覆盖在阱区(2)之上；

所述栅氧层(4)包括中心区域和环状区域；所述栅氧层(4)的中心区域覆盖在外延层(1)之上的部分表面，还覆盖在阱区(2)和源区(3)之上的部分表面；所述栅氧层(4)的环状区域的一端覆盖在外延层(1)之上的部分表面，另一端覆盖在源区(3)之上的部分表面；

所述多晶电容板(5)覆盖在栅氧层(4)的中心区域之上；

所述多晶保护环(8)覆盖在栅氧层(4)的环状区域之上；

所述介质层(6)位于栅氧层(4)的中心区域和环状区域之间；所述介质层(6)覆盖在外延层(1)之上的部分表面，所述介质层(6)还覆盖在源区(3)之上的部分表面；所述介质层(6)与栅氧层(4)、多晶电容板(5)和多晶保护环(8)相接触；

所述金属层(7)覆盖在多晶电容板(5)之上的部分表面、介质层(6)之上的部分表面和源区(3)之上的部分表面；

该测试结构包括两个PAD；其中，PAD1接衬底，PAD2接多晶电容板(5)；

所述多晶电容板(5)、栅氧层(4)、外延层(1)、阱区(2)和源区(3)组成电容板测试区；电容板上的开孔区(9)嵌套于多晶电容板(5)内部，单边距离在2um以上，之后互联金属引出电极，形成PAD2；

所述阱区(2)和源区(3)围绕多晶电容板(5)边缘进掺杂，且与实际VDMOS原胞的阱区(2)和源区(3)掺杂尺寸一致；在多晶电容板(5)的一侧将阱区(2)和源区(3)引出至另一端，并开孔和互联金属引出电极，形成PAD1；

所述多晶电容板(5)周围有一圈多晶保护环(8)，多晶保护环(8)宽度和间距与实际VDMOS原胞尺寸保持一致。