[实用新型]一种深紫外LED光源模组有效
申请号: | 201720572962.3 | 申请日: | 2017-05-22 |
公开(公告)号: | CN207097817U | 公开(公告)日: | 2018-03-13 |
发明(设计)人: | 梁仁瓅;许琳琳;陈景文;王帅 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学 |
主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075;H01L33/62;H01L33/52;H01L33/64 |
代理公司: | 武汉东喻专利代理事务所(普通合伙)42224 | 代理人: | 李佑宏 |
地址: | 441022 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 深紫 led 光源 模组 | ||
1.一种深紫外LED光源模组,其特征在于,包括半圆石英透镜(3)、深紫外LED芯片(4)、密封剂(5)、覆铜陶瓷基板(2)及六角铜基板(1);
其中,所述六角铜基板(1)表面设有镀金焊位,所述覆铜陶瓷基板(2)焊接在所述镀金焊位上;所述覆铜陶瓷基板(2)的数量为多颗,每一颗所述覆铜陶瓷基板(2)的表面均镀有金锡层,用于作为共晶焊接;
所述深紫外LED芯片(4)通过所述共晶焊接封装在所述覆铜陶瓷基板(2)的焊位处,所述半圆石英透镜(3)通过所述密封剂(5)粘结在所述深紫外LED芯片(4)的表面,形成防水防氧密封结构。
2.根据权利要求1所述的一种深紫外LED光源模组,其特征在于,所述深紫外LED芯片(4)为正方形或长方形倒装结构,其背部表面设有一层金锡层,用于与所述覆铜陶瓷基板(2)进行共晶焊接。
3.根据权利要求1或2所述的一种深紫外LED光源模组,其特征在于,所述金锡层的高度为80~120um,其表面粗糙度均方根小于400nm。
4.根据权利要求1或2所述的一种深紫外LED光源模组,其特征在于,所述覆铜陶瓷基板(2)的数量为四颗。
5.根据权利要求1所述的一种深紫外LED光源模组,其特征在于,所述六角铜基板(1)的表面还设有镀金电极,用于连接外界正负极导线。
6.根据权利要求1所述的一种深紫外LED光源模组,其特征在于,所述密封剂(5)为高紫外透过率硅胶。
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