[实用新型]一种深紫外LED光源模组有效

专利信息
申请号: 201720572962.3 申请日: 2017-05-22
公开(公告)号: CN207097817U 公开(公告)日: 2018-03-13
发明(设计)人: 梁仁瓅;许琳琳;陈景文;王帅 申请(专利权)人: 华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学
主分类号: H01L25/075 分类号: H01L25/075;H01L33/62;H01L33/52;H01L33/64
代理公司: 武汉东喻专利代理事务所(普通合伙)42224 代理人: 李佑宏
地址: 441022 湖北*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 深紫 led 光源 模组
【权利要求书】:

1.一种深紫外LED光源模组,其特征在于,包括半圆石英透镜(3)、深紫外LED芯片(4)、密封剂(5)、覆铜陶瓷基板(2)及六角铜基板(1);

其中,所述六角铜基板(1)表面设有镀金焊位,所述覆铜陶瓷基板(2)焊接在所述镀金焊位上;所述覆铜陶瓷基板(2)的数量为多颗,每一颗所述覆铜陶瓷基板(2)的表面均镀有金锡层,用于作为共晶焊接;

所述深紫外LED芯片(4)通过所述共晶焊接封装在所述覆铜陶瓷基板(2)的焊位处,所述半圆石英透镜(3)通过所述密封剂(5)粘结在所述深紫外LED芯片(4)的表面,形成防水防氧密封结构。

2.根据权利要求1所述的一种深紫外LED光源模组,其特征在于,所述深紫外LED芯片(4)为正方形或长方形倒装结构,其背部表面设有一层金锡层,用于与所述覆铜陶瓷基板(2)进行共晶焊接。

3.根据权利要求1或2所述的一种深紫外LED光源模组,其特征在于,所述金锡层的高度为80~120um,其表面粗糙度均方根小于400nm。

4.根据权利要求1或2所述的一种深紫外LED光源模组,其特征在于,所述覆铜陶瓷基板(2)的数量为四颗。

5.根据权利要求1所述的一种深紫外LED光源模组,其特征在于,所述六角铜基板(1)的表面还设有镀金电极,用于连接外界正负极导线。

6.根据权利要求1所述的一种深紫外LED光源模组,其特征在于,所述密封剂(5)为高紫外透过率硅胶。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学,未经华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201720572962.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top