[实用新型]一种深紫外LED光源模组

说明书

技术领域

本实用新型属于深紫外光源杀菌及固化技术领域，更具体地，涉及一种深紫外LED光源模组。

背景技术

基于三族氮化物材料的紫外LED在杀菌消毒、胶水固化、生化探测、非视距通讯及特种照明等领域有着广阔的应用前景,近年来受到越来越多的关注和重视。在过去的十多年里,紫外LED取得了长足的进步,发光波长400～210nm之间的紫外LED先后被研发出来,短于360nm的深紫外LED的外量子效率(EQE)最好结果仅超10％，与成熟的蓝光LED芯片相比还相差甚远。

目前，传统汞灯主要占据着深紫外杀菌及固化光源领域，而汞灯中的汞元素对环境并不友好，并存在预热时间长，波段不单一等缺点，并不是理想的深紫外光源。受外延材料生长限制，280nm波段的深紫外LED光电转化效率还不到5％，存在发光量不足、发热严重、光衰过快等问题，严重影响了深紫外LED的推广与应用，不符合当下建设绿色中国的理念。

实用新型内容

针对现有技术的以上缺陷或改进需求，本实用新型提供一种深紫外LED光源模组，其目的在于结合多层覆铜氮化铝基板和抗紫外密封剂，可以大大提高产品的光功率，降低热阻，控制结温，增加寿命与可靠性。

为实现上述目的，本实用新型提供一种深紫外LED光源模组，包括半圆石英透镜、深紫外LED芯片、密封剂、覆铜陶瓷基板及六角铜基板；

其中，所述六角铜基板表面设有镀金焊位，所述覆铜陶瓷基板焊接在所述镀金焊位上；所述覆铜陶瓷基板的数量为多颗，每一颗所述覆铜陶瓷基板的表面均镀有金锡层，用于作为共晶焊接；

所述深紫外LED芯片通过所述共晶焊接封装在所述覆铜陶瓷基板的焊位处，所述半圆石英透镜通过所述密封剂粘结在所述深紫外LED芯片的表面，形成防水防氧密封结构。

进一步地，所述深紫外LED芯片为正方形或长方形倒装结构，其背部表面设有一层金锡层，用于与所述覆铜陶瓷基板进行共晶焊接。

进一步地，所述金锡层的高度为80～120um，其表面粗糙度均方根小于400nm。

优选地，所述覆铜陶瓷基板的数量为四颗。

进一步地，所述六角铜基板的表面还设有镀金电极，用于连接外界正负极导线。

优选地，所述密封剂为高紫外透过率硅胶或全无机氟胶。

总体而言，通过本实用新型所构思的以上技术方案与现有技术相比，能够取得下列有益效果：

(1)本实用新型的深紫外LED光源模组，通过结合多层覆铜氮化铝基板和抗紫外密封剂，大大提高了产品的光功率，降低热阻，控制结温，增加寿命与可靠性。

(2)本实用新型的深紫外LED光源模组，采用抗紫外密封剂提高光提取效率，增加光电转化效率，实现大功率高光提取效率紫外杀菌光源的应用及产业化，此外，采用抗紫外密封剂可避免密封剂老化带来的不良影响。

附图说明

图1为本实用新型实施例一种深紫外LED光源模组俯视图；

图2为本实用新型实施例一种深紫外LED光源模组的主视图。

所有附图中，同一个附图标记表示相同的结构与零件，其中：1-六角铜基板，2-覆铜陶瓷基板，3-半圆石英透镜，4-深紫外LED芯片，5-密封剂，6-SAC305锡膏。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。此外，下面所描述的本实用新型各个实施方式中所涉及到的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。

图1为本实用新型实施例一种深紫外LED光源模组俯视图；图2为本实用新型实施例一种深紫外LED光源模组的主视图。如图1和图2所示，该光源模组包括半圆石英透镜3、密封剂5、深紫外LED芯片4、覆铜陶瓷基板2、六角铜基板1。

如图1所示，所述六角铜基板1位于底部，其表面设计有镀金电极和2×2镀金焊位，焊位采用串联方式，六角铜基板1具有高导热特性和高机械强度，适用于大功率封装环境。

覆铜陶瓷基板2采用低热阻高强度的多层共烧氮化铝陶瓷制作，覆铜陶瓷基板正面做有金锡层，镀层高度优选为100μm，也可以是80um或者120um，其表面粗糙度均方根值小于400nm，覆铜陶瓷基板2通过SAC305锡膏6回流焊接在六角铜基板1的镀金焊位上。

在实用新型优选的实施例中，覆铜陶瓷基板2共有四颗，每一颗覆铜陶瓷基板2的表面镀有金锡层，用于共晶焊接；