[实用新型]一种不规则半导体材料破碎装置

权利要求书

1.一种不规则半导体材料破碎装置，其特征在于，所述装置包括：处理室、高压脉冲发生器和电极组件，所述处理室中放置有向上开口的破碎容器，所述破碎容器用于盛放待破碎的不规则半导体材料，所述高压脉冲发生器电性连接所述电极组件，所述电极组件设置于所述破碎容器上方，所述高压脉冲发生器用于通过所述电极组件向待破碎的不规则半导体材料发送高压脉冲信号；所述处理室中填充有工艺流体，所述破碎容器、所述电极组件中的电极头以及待破碎的不规则半导体材料均浸没在所述工艺流体中；

所述电极组件包括中心电极、两个侧接地极、中心电极头、接地电极头和支撑绝缘体，所述中心电极设置在所述支撑绝缘体内部，所述两个侧接地极分别设置在所述支撑绝缘体的外部两侧且与所述中心电极相绝缘，所述中心电极的一端电性连接所述高压脉冲发生器，另一端电性连接所述中心电极头，所述中心电极头垂直向下朝向所述破碎容器设置，所述接地电极头与所述中心电极头对向设置且与所述中心电极头之间存在放电间隙，所述接地电极头通过金属连接杆连接至所述两个侧接地极。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，待破碎的不规则半导体材料填满所述破碎容器，所述电极组件的最下端与所述破碎容器的上边沿之间的纵向距离为10mm-20mm。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述中心电极采用紫铜制成，所述中心电极头和所述接地电极头采用铜钨合金制成。

4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置包括至少两个破碎容器，所述至少两个破碎容器交替设置在所述处理室中。

5.根据权利要求1至4任一所述的装置，其特征在于，所述金属连接杆包括一个横向连接杆和两个纵向连接杆，则所述接地电极头通过金属连接杆连接至所述两个侧接地极，包括：所述接地电极头设置在所述横向连接杆的中心位置并与所述横向连接杆电性相连，所述横向连接杆的两端分别连接一个所述纵向连接杆，每个所述纵向连接杆连接一个所述侧接地极。