[实用新型]一种不规则半导体材料破碎装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及材料破碎领域，尤其是一种不规则半导体材料破碎装置。

背景技术

用于制造半导体设备的硅晶元通常使用如下方法制成：通过西门子法生成多晶硅块，将多晶硅块破碎成小块，然后以破碎得到的硅碎片作为原材料，采用直拉单晶制造法(Czochralski，CZ法)生成圆柱形的单晶硅块，对单晶硅块切断研磨制成硅晶元。

在将多晶硅块进行破碎时，目前常用的方法是人工使用锤子进行敲打破碎，这一破碎方法一方面容易引进杂质污染高纯度的多晶硅，另一方面破碎效率也很低。

实用新型内容

本发明人针对上述问题及技术需求，提出了一种不规则半导体材料破碎装置，该装置通过高压脉冲信号对不规则半导体材料进行破碎，交叉污染较小，且自动化程度高、破碎效率较高。

本实用新型的技术方案如下：

一种不规则半导体材料破碎装置，该装置包括：处理室、高压脉冲发生器和电极组件，处理室中放置有向上开口的破碎容器，破碎容器用于盛放待破碎的不规则半导体材料，高压脉冲发生器电性连接电极组件，电极组件设置于破碎容器上方，高压脉冲发生器用于通过电极组件向待破碎的不规则半导体材料发送高压脉冲信号；处理室中填充有工艺流体，破碎容器、电极组件中的电极头以及待破碎的不规则半导体材料均浸没在工艺流体中；

电极组件包括中心电极、两个侧接地极、中心电极头、接地电极头和支撑绝缘体，中心电极设置在支撑绝缘体内部，两个侧接地极分别设置在支撑绝缘体的外部两侧且与中心电极相绝缘，中心电极的一端电性连接高压脉冲发生器，另一端电性连接中心电极头，中心电极头垂直向下朝向破碎容器设置，接地电极头与中心电极头对向设置且与中心电极头之间存在放电间隙，接地电极头通过金属连接杆连接至两个侧接地极。

其进一步的技术特征为，待破碎的不规则半导体材料填满破碎容器，电极组件的最下端与破碎容器的上边沿之间的纵向距离为10mm-20mm。

其进一步的技术特征为，中心电极采用紫铜制成，中心电极头和接地电极头采用铜钨合金制成。

其进一步的技术特征为，装置包括至少两个破碎容器，至少两个破碎容器交替设置在处理室中。

其进一步的技术特征为，金属连接杆包括一个横向连接杆和两个纵向连接杆，则接地电极头通过金属连接杆连接至两个侧接地极，包括：接地电极头设置在横向连接杆的中心位置并与横向连接杆电性相连，横向连接杆的两端分别连接一个纵向连接杆，每个纵向连接杆连接一个侧接地极。

本实用新型的有益技术效果是：

1、该装置可以实现通过高压脉冲信号破碎半导体材料，破碎的自动化程度高，破碎效率较高。

2、该装置中采用的电极组件的结构中存在两个电流包围回路，使得整个电极组件的分布电感较低，可以有效提高放电效率，从而提高破碎效率。

3、处理室中填充有工艺流体，破碎操作在工艺流体中进行，有效避免半导体材料被污染，可以保证破碎后的半导体材料的纯度。

4、该装置中的电极组件与破碎容器的上边沿之间的纵向距离为10mm-20mm，可以有效避免电极组件与凸出破碎容器上边沿的半导体材料的接触，同时也可以保持较好的放电效率。

5、该装置中用于盛放待破碎的不规则半导体材料的破碎装置是可替换的，在一个破碎装置放置在处理室中，对该破碎装置中的半导体材料进行破碎时，可以对另一个破碎装置进行同步的填料，实现该装置的连续工作，进一步提高破碎效率。

附图说明

图1是本实用新型公开的一种不规则半导体材料破碎装置的结构示意图。

图2是不规则半导体材料破碎装置中的电极组件的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做进一步说明。