[实用新型]基板处理装置和喷头清洗装置

说明书

技术领域

本揭示涉及一种基板处理装置和喷头清洗装置，特别是涉及一种用于湿式蚀刻的基板处理装置，其具有可用于清洗喷头的喷头清洗装置。

背景技术

现今，在半导体工艺中会通过单晶圆旋转机台(single wafer spin processor)对晶圆进行湿式蚀刻或清洗。在湿式蚀刻或清洗的过程中会经过多道蚀刻清洗的程序，例如，先以第一种化学液体对晶圆进行第一次蚀刻，接着以第二种化学液体对晶圆进行第二次蚀刻，最后再以清洗液将晶圆上方残留的化学药液冲洗洗净。一般而言，为了使机台整体构型较为简洁与小型化，会将提供化学药液、气体或清洗液的管路整合在同一个工艺液体喷洒单元上，使得所述工艺液体喷洒单元的喷头可依照当前的程序喷洒出合适的液体。

然而，当通过工艺液体喷洒单元喷洒完化学液体之后，容易发生所述化学液体残留在所述喷头的问题，使得当工艺液体喷洒单元接续喷洒清洗液时，残留的所述化学液体会污染当前的清洗液，进而影响产品的品质。

有鉴于此，有必要提出一种基板处理装置和喷头清洗装置，用以解决现有技术中存在的问题。

实用新型内容

为解决上述现有技术的问题，本揭示的目的在于提供一种基板处理装置和喷头清洗装置，进而避免现有技术中因化学液体残留在喷头而导致喷洒清洗液时，残留的化学液体污染当前的清洗液，进而影响产品的品质。

为达成上述目的，本揭示提供一种基板处理装置，包括：一基板保持部，用于保持一基板；至少一工艺液体喷洒单元，包含一喷头，用于在所述基板上方沿一路径喷洒一工艺液体；以及一喷头清洗装置，设置在所述基板保持部的周围外侧，用于对放置在所述喷头清洗装置之上的所述至少一工艺液体喷洒单元的所述喷头喷洒一清洗液体。

于本揭示其中之一优选实施例当中，所述喷头清洗装置包含：一中空的基座，包含一环形壁和一与所述环形壁的一端连接的管路段，其中所述环形壁的内部形成有一容置空间，用于将所述喷头收容于其内；一清洗液体喷出管路，延伸至所述管路段内部，其中所述清洗液体喷出管路的喷出口对准所述容置空间，以对收容在所述容置空间内的所述喷头喷洒所述清洗液体；以及一排液管，与所述管路段连接，用于排出清洗所述喷头后的所述清洗液体。

于本揭示其中之一优选实施例当中，所述排液管还包含一开关阀用于控制所述排液管的通断。

于本揭示其中之一优选实施例当中，所述至少一工艺液体喷洒单元还包含：一移动机构，与所述喷头连接，用于控制所述喷头从一待机位置移动至所述基板保持部，以在所述基板上方沿所述路径喷洒所述工艺液体。

于本揭示其中之一优选实施例当中，所述移动机构包含：一旋转驱动部，用于控制所述至少一工艺液体喷洒单元绕着一转轴在一平面上转动；以及一升降驱动部，用于控制所述至少一工艺液体喷洒单元沿着垂直于所述平面的方向垂直升降。

于本揭示其中之一优选实施例当中，所述喷头清洗装置设置在所述待机位置。

于本揭示其中之一优选实施例当中，所述至少一工艺液体喷洒单元的所述喷头包含：至少一喷嘴，用于喷洒所述工艺液体；以及一遮蔽罩，设置为环绕在所述至少一喷嘴的周围。

于本揭示其中之一优选实施例当中，所述喷头清洗装置包含一环形壁，所述环形壁内部形成有一容置空间，用于将所述喷头收容于其内，以及其中所述容置空间的构型与所述喷头的所述遮蔽罩的构型相对应且配合。

于本揭示其中之一优选实施例当中，所述喷头清洗装置还包含一供气管路，所述供气管路的出气口对准所述容置空间，以对收容在所述容置空间内的所述喷头提供一气体，以将残留在所述喷头的所述清洗液体吹干。

本揭示还提供一种喷头清洗装置，用于清洗一基板处理装置的喷头，所述喷头用于喷洒一工艺液体于一基板上，所述喷头清洗装置包含：一中空的基座，包含一容置空间，用于收容所述喷头于其内；一清洗液体喷出管路，包含一喷出口对准所述容置空间，以对收容在所述容置空间内的所述喷头喷洒清洗液体以清洗所述喷嘴；以及一排液管，用于排出清洗所述喷头后的所述清洗液体。

相较于先前技术，本揭示通过在基板处理装置中设置具有可用于清洗喷头的喷头清洗装置，使得工艺液体喷洒单元在喷洒完工艺液体且回到待机位置时，可通过所述喷头清洗装置将残留在工艺液体喷洒单元的喷头上的工艺液体清洗干净，进而避免发生不同工艺液体之间彼此交叉污染的问题。

附图说明

图1显示一种根据本揭示的优选实施例的基板处理装置的示意图；

图2显示图1的工艺液体喷洒单元的局部示意图；