[实用新型]一种带尾气处理器的真空长膜设备有效
申请号: | 201720602182.9 | 申请日: | 2017-05-26 |
公开(公告)号: | CN207016851U | 公开(公告)日: | 2018-02-16 |
发明(设计)人: | 石建东;赵超超;范思伟 | 申请(专利权)人: | 广东瑞芯源技术有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;B01D47/02;B01D53/18;B01D53/78 |
代理公司: | 广州市南锋专利事务所有限公司44228 | 代理人: | 罗晓聪 |
地址: | 528251 广东省佛山市南海区桂城街*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 尾气 处理器 真空 设备 | ||
技术领域
本实用新型涉及尾气处理技术领域,尤其是涉及一种带尾气处理器的真空长膜设备。
背景技术
在CVD等长膜工艺中,均会产生尾气,此时便需要对尾气进行处理才可将其排走,否则会污染环境;而传统的尾气处理方式是向尾气喷出处理液,但这种处理方式会出现尾气与处理液的混合效果较差使处理效果不明显,即使将处理液改为雾状的处理液,处理液与尾气也无法充分混合。
实用新型内容
针对现有技术的不足,本实用新型的目的在于一种可使尾气与处理液充分混合的带尾气处理器的真空长膜设备。
为实现上述目的,本实用新型提供的方案为:一种带尾气处理器的真空长膜设备,包括长膜设备、风机与装有处理液的处理池,所述长膜设备包括壳体、支座、进料单元与排气管,所述进料单元设置于壳体一侧并连接壳体用于向壳体内喷入反应物,所述支座设置于壳体内,并在支座上设置有多个晶圆使反应物发生反应后在晶圆上形成膜层;
所述排气管一端连接壳体,另一端伸进处理池的处理液内用于将反应过程中产生的尾气排进处理液内处理,并在排气管上设置有压力阀以调节壳体内的气压;所述处理池内设置有一悬空于处理液上方的输送管用于将经处理液处理后的尾气输送走。
进一步地,所述风机设置于排气管上用于将长膜设备内的尾气抽进处理池内。
进一步地,所述风机设置于输送管上用于将长膜设备内的尾气抽进处理池内。
本方案的有益效果为:可充分地对反应过程中产生的尾气进行处理,本方案中设置有处理池,并将排气管直接伸进处理液池内,使化学反应过程中产生的尾气直接排进处理液内,如此使尾气与处理液充分混合接触,使尾气的处理效果更佳。
附图说明
图1为本实用新型的结构图(风机设置于排气管)。
图2为本实用新型的结构图(风机设置于输送管)。
其中,11为壳体,12为支座,121为晶圆,13为进料单元,14为排气管,141为压力阀,2为处理池,21为输送管,3为风机。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本实用新型作进一步说明:
参见附图1至附图2所示,一种带尾气处理器的真空长膜设备,包括长膜设备、风机3与装有处理液的处理池2,长膜设备包括壳体11、支座12、进料单元13与排气管14,进料单元13设置于壳体11一侧并连接壳体11用于向壳体11内喷入反应物(具体地,进料单元13设置于壳体11的一侧并连接壳体11,反应物为气体或气态液体,且进料单元13包括至少两条进料管用于向壳体11内喷入不同的反应物),支座12设置于壳体11内,并在支座12上设置有多个晶圆121使反应物发生反应后在晶圆121上形成膜层。
排气管14一端连接壳体11,另一端伸进处理池2的处理液内用于将反应过程中产生的尾气排进处理液内处理,并在排气管14上设置有压力阀141以调节壳体内的气压(具体地,排气管14设置于壳体11的一侧(在本实施例中为右侧),并连接壳体11,而压力阀141可为自力式平衡阀、流量控制阀、流量控制器、动态平衡阀、流量平衡阀其中的一种);处理池2内设置有一悬空于处理液上方的输送管21用于将经处理液处理后的尾气输送走(由于输送管21悬空在处理液上方,为便于收集处理后的尾气,处理池2需为一封闭的容器),其中,尾气通过风机3抽进处理池2的处理液内,而风机3可设置于排气管14或输送管21上,当风机3设置于排气管14上时,风机3只需要较小的抽吸力便可将长膜设备内的尾气抽出并排进处理池2内,但此时风机3便需要有较高的耐蚀性,由于设置于排气管14上的风机3直接抽吸未经过任何手段处理的尾气,因此尾气通过风机3时会腐蚀风机3;而当风机3设置于输送管21上时,由于输送管21悬空在处理液上方,因此风机3需要较大的抽吸力才可将长膜设备内的尾气抽进处理池2内,但此时由于风机3抽吸的尾气是经处理池2处理后的尾气,因此风机3无需要较高的耐蚀性。
本实施例的工作过程为:先将多个晶圆121平放于支座12上并对壳体11进行抽真空,然后通过进料单元13向壳体11内喷入多种反应物,多种反应物在壳体11内混合,并在特定的环境条件下(如温度、压力、电离条件下),发生化学反应,反应产物沉积到晶圆表面形成膜层;在化学反应的过程中,会产生尾气,此时尾气通过排气管14排走,并通过风机3将尾气抽进处理池2的处理液内进行处理,处理后的尾气上升至输送管21并通过输送管21排走。
以上所述之实施例仅为本实用新型的较佳实施例,并非对本实用新型做任何形式上的限制。任何熟悉本领域的技术人员,在不脱离本实用新型技术方案范围情况下,利用上述揭示的技术内容对本实用新型技术方案作出更多可能的变动和润饰,或修改均为本实用新型的等效实施例。故凡未脱离本实用新型技术方案的内容,依据本实用新型之思路所作的等同等效变化,均应涵盖于本实用新型的保护范围内。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的