[实用新型]一种高强度的裸芯片

权利要求书

1.一种高强度的裸芯片，一面为铝电极，另一面为非铝电极，其特征在于，还包括基体层，所述铝电极和非铝电极分别设置于所述基体层的两侧，所述基体层设置有纵横交错的加强筋；所述基体层的2根以上的加强筋从所述基体层的周侧伸出呈支撑臂状。

2.如权利要求1所述高强度的裸芯片，其特征在于，所述加强筋从所述基体层的中部向周侧的外部伸出，所述加强筋为金属制成的加强筋。

3.如权利要求1所述的高强度的裸芯片，其特征在于，所述铝电极至少包括三层金属层：底层铝层、中间金层、上层铝层，所述中间金层位于中间层，所述中间金层的厚度在5um以上。

4.如权利要求3所述的高强度的裸芯片，其特征在于，所述中间金层与底层铝层和上层铝层的交界面分别设置有凹凸度为1～2um的凹坑和凸起，所述铝层的铝和金层的金交错填平所述凹坑和凸起。

5.如权利要求3所述的高强度的裸芯片，其特征在于，所述中间金层与所述上层铝层交界处的金的晶粒直径为5～100nm，其中，晶粒直径为5～10nm的晶粒的体积分数在3％以上。

6.如权利要求3所述的高强度的裸芯片，其特征在于，所述中间金层与所述底层铝层交界处的铝的晶粒直径为15～100nm，其中，晶粒直径为10～15nm的晶粒的体积分数在5％以上。

7.如权利要求3所述的高强度的裸芯片，其特征在于，所述中间金层与所述上层铝层交界处的厚度为2～2.5um。

8.如权利要求3所述的高强度的裸芯片，其特征在于，所述中间金层与所述底层铝层交界处的厚度为2～2.5um。

9.如权利要求1所述的高强度的裸芯片，其特征在于，所述基体层的主体 材料为硅。

10.如权利要求9所述的高强度的裸芯片，其特征在于，所述加强筋为铜与硅的化合物制成的加强筋。