[实用新型]检测晶圆缺陷的装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及晶圆技术领域，特别是涉及一种检测晶圆缺陷的装置。

背景技术

传统的检测半导体激光器晶圆缺陷的主要方法是采用光致发光检测系统。对于GaAs(砷化镓)衬底的半导体激光器晶圆，光致发光检测系统检测半导体激光器晶圆缺陷的方式为采用聚焦一束激光，从半导体激光器晶圆P面照射，通过逐点扫描的方式以获得半导体激光器晶圆的整个有源区的信息。但是，半导体激光器晶圆P面生长金属电极后，光致发光检测系统不再适用于从P面照射，并且由于半导体激光器晶圆的衬底厚度在300微米以上，衬底对入射光斑具有散射作用，会影响聚焦光斑的大小。因此，传统的光致发光检测系统不能用于检测P面生长金属电极后的半导体激光器内部有源区的缺陷。

实用新型内容

基于此，有必要提供一种能够检测P面生长金属电极后的半导体激光器晶圆内部有源区缺陷的检测晶圆缺陷的装置。

一种检测晶圆缺陷的装置；包括：P面电极，所述P面电极用于设置在所述晶圆的P面表面，作为正极端；透明导电薄膜，所述透明导电薄膜用于设置在晶圆的N面表面，作为负极端；电源，所述电源分别与所述正极端和负极端连接；所述电源通过所述正极端和所述负极端给所述晶圆通电，以使得所述晶圆发光；图像采集系统，所述图像采集系统位于所述透明导电薄膜的远离所述晶圆的一侧；所述图像采集系统用于接收所述晶圆发出的光场以采集所述晶圆的有源区图像；其中，所述有源区图像为包含所述晶圆缺陷的图像。

在其中一个实施例中，所述晶圆为半导体激光器晶圆。

在其中一个实施例中，所述晶圆的有源区图像为所述晶圆PN结构成的有源区的图像。

在其中一个实施例中，所述晶圆为垂直腔面发射半导体激光器晶圆。

在其中一个实施例中，所述图像采集系统包括成像系统和CCD图像传感器；所述成像系统用于放大所述晶圆发出的光场，以增强所述图像采集系统采集到的图像的分辨率；所述CCD图像传感器用于将采集到的所述光场进行成像处理。

在其中一个实施例中，还包括机械系统；所述机械系统用于控制所述图像采集系统对所述晶圆进行逐点扫描。在其中一个实施例中，所述P面电极为金属电极。

在其中一个实施例中，所述P面电极的面积等于所述晶圆P面表面的面积。

在其中一个实施例中，所述透明导电薄膜包括石墨烯导电薄膜。

在其中一个实施例中，所述透明导电薄膜的面积大于或等于所述晶圆N面的面积。

上述检测晶圆缺陷的装置，包括设于晶圆P面的P面电极以作为正极端，以及设于其N面的透明导电薄膜以作为负极端。电源通过正极端和负极端给晶圆通电，以使得晶圆发光。图像采集系统接收晶圆发出的光场以采集晶圆有源区图像，获取的晶圆有源区图像为包含有源区缺陷的图像。根据获取的包含有源区缺陷的图像即可识别出晶圆在磨抛工艺中引入的有源区缺陷。

附图说明

图1为一实施例中的检测晶圆缺陷的装置的示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

如图1所示，一种检测晶圆缺陷的装置包括P面电极200、透明导电薄膜100、电源300以及图像采集系统400。

P面电极200用于设置在晶圆10的P面表面。P面电极200用于作为正极端。在本实施例中，P面电极200为金属电极。P面电极200的面积等于晶圆10表面的面积。透明导电薄膜100用于设置在晶圆10的N面表面。透明导电薄膜100作为负极端。在本实施例中，透明导电薄膜100为石墨烯导电薄膜。在其他实施例中，透明导电薄膜100也可以为其他导电薄膜。只要透明导电薄膜100可以对近红外光进行透射，且透明导电薄膜100粘附在晶圆10的表面后能够形成导电即可。在本实施例中，透明导电薄膜100的面积大于或等于晶圆10表面的面积，以使得电流流经晶圆10后，晶圆10辐射的光场能够更好地从透明导电薄膜100表面辐射出。

电源300分别与P面电极200和透明导电薄膜100电性连接。电源300通过晶圆10的P面电极200给晶圆10注入电流，电流通过N型衬底和透明导电薄膜100后引出。其中，N型衬底材质为砷化镓材质。电流流经晶圆10的PN结构成的有源区，在PN结之间电荷复合，产生光子。晶圆10产生的自发辐射光透过衬底从N面的透明导电薄膜100辐射出。