[实用新型]一种微滚压成形的LED多芯片封装基板结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及线路板领域，尤其涉及一种微滚压成形的LED多芯片封装基板结构。

背景技术

LED作为新一代的绿色光源，具有体积小、光效高和节能环保等优点被广泛的应用与电子领域。但由于其光通量小，当光线从芯片射向空气传播时，发生在不同材料界面交界处的全内反射吸收现象，使得光源的总出光效率得不到改善，从而限制了LED光源在普通照明领域的应用。

实用新型内容

本实用新型的目的在于针对上述现有技术的不足，提供了一种微滚压成形的LED多芯片封装基板结构，提高了光源模块的出光效率，扩大了LED光源的应用范围。

为实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：

本实用新型提供了一种微滚压成形的LED多芯片封装基板结构，包括基板，所述基板的一面上设有多个芯片和多个盲孔，所述基板的另一面设有吃锡焊盘，所述芯片通过多晶线并联或串联；所述盲孔为V型，所述芯片为锥形。

进一步，所述芯片和所述盲孔交错分布。

进一步，所述芯片和所述盲孔重合分布。

进一步，所述盲孔和所述芯片的锥孔深度为0.2毫米。

进一步，所述盲孔和所述芯片的锥孔角度为40度。

进一步，所述盲孔采用微滚压塑性成型。

进一步，所述盲孔和所述芯片采用线性阵列排布。

进一步，所述盲孔的孔间距为0.3毫米。

进一步，所述芯片的间距为3毫米。

本实用新型的有益效果为：通过改变光线的传播方向，使得更多的光线从光源模块射出，从而提高LED多芯片集成封装模块的出光效率。

附图说明

图1为本实用新型的一种微滚压成形的LED多芯片封装基板结构的结构示意图；

其中，1、基板；2、芯片；3、盲孔；α、锥孔角度；h、锥孔深度。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下面结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

图1所示，一种微滚压成形的LED多芯片封装基板结构，包括基板1，所述基板1的一面上设有多个芯片2和多个盲孔3，所述基板1的另一面设有吃锡焊盘，所述芯片2通过多晶线并联或串联；所述盲孔3为V型，所述芯片2为锥形。

其中，基板1为铜基板。

所述芯片2和所述盲孔3交错分布。

所述芯片2和所述盲孔3重合分布。

所述盲孔3和所述芯片2的锥孔深度h为0.2毫米。

所述盲孔3和所述芯片2的锥孔角度α为40度。

所述盲孔3的孔间距为0.3毫米。

芯片2为锥型，即芯片2的顶角远离基板1。盲孔3采用V型，且锥孔深度h为0.2毫米，且盲孔3的孔间距为0.3毫米。因为盲孔结构包括锥孔角度、锥孔深度、锥孔间距三个参数，而锥孔角度α为主要参数，当锥孔角度α为40度时，锥孔的两个斜面具有镜面反射功能，且当锥孔角度α为40度时，斜面的反射率可达90％以上，当光线经过锥孔的斜面再次发射后，重新进入硅胶与空气的交界面时，此时光线的入射角减小了，能够顺利溢出光源结构内部。这既提高了整体LED多芯片集成封装光源模块的出光效率，又减少了光源模块由于吸收光线而发热。

盲孔3的锥孔深度h为0.2毫米，盲孔3的孔间距为0.3毫米时，光源的利用率最高，且在工艺上易实现。

所述盲孔3采用微滚压塑性成型，即采用滚压刀具，借助外力对基板1施行挤压，使得晶粒发生弹塑性变形，从而得到高精度成形表面或微细结构特征的方法。

所述盲孔3和所述芯片2采用线性阵列排布。

所述芯片2的间距为3毫米。

芯片2采用锥形，且芯片2的锥孔角度α为40度，锥孔深度h为0.2毫米，与盲孔3的大小一致。改变芯片2侧面倾斜角度，从而避免了芯片2侧面垂直反射引起的部分全发射。即通过改变芯片2的外观形貌来提高出光效率。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。