[实用新型]一种基板烘烤的层压结构有效
| 申请号： | 201720660125.6 | 申请日： | 2017-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN206864438U | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 阳芳芳 | 申请（专利权）人： | 太极半导体（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 苏州铭浩知识产权代理事务所(普通合伙)32246 | 代理人： | 潘志渊 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 烘烤 层压 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种基板烘烤的层压结构，其特征在于：包含烘烤框架（10），烘烤框架（10）内的底面设置有一片大薄铜板（8），该大薄铜板（8）上设置有多个已塑封基板（7），顶层的已塑封基板（7）上还设置有多个大薄铜板（8），顶层的大薄铜板（8）上设置有多个压块（9），多个压块（9）的边缘对齐，并置于大薄铜板（8）的正中间。
2.根据权利要求1所述的基板烘烤的层压结构，其特征在于：所述已塑封基板（7）的个数为9到15个。
3.根据权利要求1所述的基板烘烤的层压结构，其特征在于：所述已塑封基板（7）上侧的大薄铜板（8）的个数为9到15个。
4.根据权利要求1所述的基板烘烤的层压结构，其特征在于：所述大薄铜板（8）的面积大于已塑封基板（7），压块（9）的面积小于已塑封基板（7）。
5.根据权利要求4所述的基板烘烤的层压结构，其特征在于：所述压块（9）的面积为已塑封基板（7）的70%。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
