[实用新型]一种基板烘烤的层压结构有效
申请号: | 201720660125.6 | 申请日: | 2017-06-08 |
公开(公告)号: | CN206864438U | 公开(公告)日: | 2018-01-09 |
发明(设计)人: | 阳芳芳 | 申请(专利权)人: | 太极半导体(苏州)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 苏州铭浩知识产权代理事务所(普通合伙)32246 | 代理人: | 潘志渊 |
地址: | 215000 江苏省苏州市工*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 烘烤 层压 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种基板烘烤的层压结构。
背景技术
除了全晶片这种主流晶元来料类型,因市场的需要,仍有40%的分拣芯片需要被封装成规格产品,其外观要求至少与常规产品一样,有时甚至会因应用市场的不同而更加严格。
全晶片可以视叠片层数而磨成所需要的厚度,而因此产生的分拣芯片就对应多种不同厚度;常规厚度为200um~280um, 较薄芯片厚度为130~200um, 薄芯片厚度为40~120um;常规厚度芯片可完全沿用现有的封装材料和结构参数;较薄芯片也适用于现有的封装材料和结构参数,但需要在塑封后烘烤的过程中进行烘烤参数优化。
但对薄芯片而言,增加垫片会导致材料成本上升30%,导致产能损失40%;考虑长远发展,为去掉垫片,需要开发全新的模腔,设计理想的基板厚度,选择最适用的塑封树脂,并优化设计其烘烤的层压结构。
实用新型内容
本实用新型目的是为了克服现有技术的不足而提供一种基板烘烤的层压结构。
为达到上述目的,本实用新型采用的技术方案是:一种基板烘烤的层压结构,包含烘烤框架,烘烤框架内的底面设置有一片大薄铜板,该大薄铜板上设置有多个已塑封基板,顶层的已塑封基板上还设置有多个大薄铜板,顶层的大薄铜板上设置有多个压块,多个压块的边缘对齐,并置于大薄铜板的正中间。
优选的,所述已塑封基板的个数为9到15个。
优选的,所述已塑封基板上侧的大薄铜板的个数为9到15个。
优选的,所述大薄铜板的面积大于已塑封基板,压块的面积小于已塑封基板。
优选的,所述压块的面积为已塑封基板的70%。
由于上述技术方案的运用,本实用新型与现有技术相比具有下列优点:
本实用新型方案的基板烘烤的层压结构,通过压块可以解决薄芯片与较薄芯片的封装基板厚度的通用性问题;并且避免了压块直接作用于基板导致的受力不完全问题;通过大薄铜板将压块的重量释放到整个基板面,使各点压强相等,取得优化效果,打破了压块必须与基板尺寸相同的现有定律。
附图说明
下面结合附图对本实用新型技术方案作进一步说明:
附图1为本实用新型所述的一种基板烘烤的层压结构的示意图。
具体实施方式
下面结合附图及具体实施例对本实用新型作进一步的详细说明。
如图1所示,本实用新型所述的一种基板烘烤的层压结构,包含烘烤框架10,烘烤框架10内的底面设置有一片大薄铜板8,该大薄铜板8上设置有9到15个已塑封基板7,顶层的已塑封基板7上还设置有9到15个大薄铜板8,顶层的大薄铜板8上设置有3个压块9,每个压块9重3公斤左右,3个压块9的边缘彼此对齐,并置于大薄铜板8的正中间的位置上。
其中,所述大薄铜板8的面积大于已塑封基板7,压块9的面积为已塑封基板7的70%左右,大薄铜板8和压块9的数量随基板片条弯曲度和单颗产品锡球共面度的要求而定。
以上仅是本实用新型的具体应用范例,对本实用新型的保护范围不构成任何限制。凡采用等同变换或者等效替换而形成的技术方案,均落在本实用新型权利保护范围之内。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于太极半导体(苏州)有限公司,未经太极半导体(苏州)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201720660125.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:大功率晶体管粘片机
- 下一篇:一种便携式360度吸尘钻石记号刻笔的治具
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造