[实用新型]一种门阀隔热结构及刻蚀装置有效
| 申请号： | 201720665798.0 | 申请日： | 2017-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN207074648U | 公开（公告）日： | 2018-03-06 |
| 发明（设计）人： | 李璐 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京力量专利代理事务所(特殊普通合伙)11504 | 代理人： | 王鸿远 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 门阀 隔热 结构 刻蚀 装置 | ||
1.一种门阀隔热结构，其特征在于，包括设置于门阀与刻蚀工艺腔之间的隔热围挡，所述隔热围挡的内壁形成环形的材料输送通道，所述材料输送通道的一侧与所述门阀的通道连通，所述材料输送通道的另一侧与所述刻蚀工艺腔的进出料口连通；沿所述隔热围挡的内壁上包覆有耐腐蚀层。
2.根据权利要求1所述门阀隔热结构，其特征在于，所述耐腐蚀层与所述门阀间设置有第一隔热缝。
3.根据权利要求2所述门阀隔热结构，其特征在于，所述第一隔热缝内设置有第一防腐密封圈。
4.根据权利要求1所述门阀隔热结构，其特征在于，所述耐腐蚀层与所述刻蚀工艺腔间设置有第二隔热缝。
5.根据权利要求4所述门阀隔热结构，其特征在于，所述第二隔热缝内设置有第二防腐密封圈。
6.根据权利要求1所述门阀隔热结构，其特征在于，在所述隔热围挡与所述门阀之间设置有第一隔热密封圈。
7.根据权利要求1所述门阀隔热结构，其特征在于，在所述隔热围挡与所述刻蚀工艺腔之间设置有第二隔热密封圈。
8.根据权利要求1-7任一所述门阀隔热结构，其特征在于，所述耐腐蚀层的材质为铝或陶瓷。
9.一种具有权利要求1-7中任一所述门阀隔热结构的刻蚀装置，其特征在于，包括刻蚀工艺腔、门阀以及材料传输腔，所述材料传输腔的材料进出口与所述门阀的通道对应连通。
10.根据权利要求9所述刻蚀装置，其特征在于，在所述门阀与所述材料传输腔之间设置有第三隔热密封圈。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
