[实用新型]一种门阀隔热结构及刻蚀装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种门阀隔热结构及刻蚀装置。

背景技术

近年来，微机电系统(MEMS,Micro-Electro-Mechanical System)及器件在汽车和消费电子领域应用越来越广泛，同时TSV通孔刻蚀(Through-Silicon Etch)技术在未来封装领域具有的广阔前景；干法等离子体深硅刻蚀工艺已逐渐成为MEMS器件加工领域及TSV通孔刻蚀技术中最炙手可热的工艺之一；其刻蚀方法为：通过材料传输腔内的机械手将待刻蚀的基板运输至刻蚀工艺腔内的刻蚀工位，再通过门阀和设置在门阀与刻蚀工艺腔之间的橡胶密封件将刻蚀工艺腔密封，再将刻蚀工艺腔内抽真空后进行刻蚀。

硅深刻蚀工艺相对于一般的硅刻蚀工艺，主要区别在于：硅深刻蚀工艺的刻蚀深度远大于一般的硅刻蚀工艺，硅深刻蚀工艺的刻蚀深度一般为几十微米甚至可以达到上百微米，而一般硅刻蚀工艺的刻蚀深度则小于1微米；要刻蚀厚度为几十微米的硅材料，就要求硅深刻蚀工艺具有更快的刻蚀速率，更高的选择比及更大的深宽比。

近些年来，随着半导体制造工艺的发展，为了满足深硅刻蚀的技术性能，一些新型刻蚀气体氯气(Cl2)、溴化氢(HBr)开始被大量应用到硅深刻蚀工艺中来，作为等离子体刻蚀工艺的主刻蚀气体。氯气和溴化氢这类气体同以往的碳氟基气体不同，它们具有很强的腐蚀性，尤其在有一定的水蒸气存在的情况下，对金属的腐蚀能力会增强，同时对刻蚀装置中的树脂密封隔热围挡也会有腐蚀，造成刻蚀工艺腔内真空失败、刻蚀气体泄漏；而被腐蚀掉的树脂颗粒悬浮在刻蚀工艺腔内会影响刻蚀。

因此，针对上述问题本实用新型急需提供一种新的门阀隔热结构及刻蚀装置。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种新的门阀隔热结构及刻蚀装置，通过所述耐腐蚀层以解决现有技术中存在的门阀结构的隔热围挡易被腐蚀，造成刻蚀工艺腔内真空失败、腐蚀掉的橡胶颗粒影响刻蚀的技术问题。

本实用新型提供的一种门阀隔热结构，包括设置于门阀与刻蚀工艺腔之间的隔热围挡，所述隔热围挡的内壁形成环形的材料输送通道，所述材料输送通道的一侧与所述门阀的通道连通，所述材料输送通道的另一侧与所述刻蚀工艺腔的进出料口连通；沿所述隔热围挡的内壁上包覆有耐腐蚀层。

进一步地，所述耐腐蚀层与所述门阀间设置有第一隔热缝。

进一步地，所述第一隔热缝内设置有第一防腐密封圈。

进一步地，所述耐腐蚀层与所述刻蚀工艺腔间设置有第二隔热缝。

进一步地，所述第二隔热缝内设置有第二防腐密封圈。

进一步地，在所述隔热围挡与所述门阀之间设置有第一隔热密封圈。

进一步地，在所述隔热围挡与所述刻蚀工艺腔之间设置有第二隔热密封圈。

进一步地，所述耐腐蚀层的材质为铝或陶瓷。

本实用新型还提供的一种具有如上任一所述门阀隔热结构的刻蚀装置，包括刻蚀工艺腔、门阀以及材料传输腔，所述材料传输腔的材料进出口与所述门阀的通道对应连通。

进一步地，在所述门阀与所述材料传输腔之间设置有第三隔热密封圈。

本实用新型与现有技术相比具有以下进步：

本实用新型提供的门阀隔热结构采用包括设置于所述门阀与所述刻蚀工艺腔之间的所述隔热围挡，所述隔热围挡的内壁形成环形的所述材料输送通道，所述材料输送通道的一侧与所述门阀的通道连通，所述材料输送通道的另一侧与所述刻蚀工艺腔的进出料口连通；沿所述隔热围挡的内壁上包覆有所述耐腐蚀层的设计；所述耐腐蚀层可阻止刻蚀气体与所述隔热围挡接触，有效地防止所述隔热围挡被腐蚀，从而有效地避免了所述隔热围挡上被腐蚀掉的颗粒漂浮到所述刻蚀工艺腔内影响刻蚀，或所述隔热围挡被腐蚀后密封作用失效。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型中所述门阀隔热结构的实施例一的结构示意图(剖视图)；

图2为本实用新型中所述门阀隔热结构的实施例二的结构示意图(剖视图)；

图3为图2中A的局部放大图；

图4为本实用新型中所述刻蚀装置的结构示意图(剖视图)。

具体实施方式