[实用新型]一种校正装置有效
| 申请号： | 201720671270.4 | 申请日： | 2017-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN207303047U | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 刘志攀;丁振宇;陈幸;邹浩;夏爱华 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 校正 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种校正装置，应用于干法刻蚀机台以及化学气相沉积机台真空腔体中的静电吸附盘上，所述静电吸附盘包括一吸附盘本体，以及设置于所述吸附盘本体上的一承托台，所述承托台的横基面呈圆形，所述承托台的顶部用以放置一晶圆，其特征在于，所述校正装置包括：
一中空的圆形柱体，用以套设于所述承托台上；
环形突出部，水平的环设于所述圆形柱体的靠近所述承托台的一端的顶部，所述环形突出部的顶面形成一测量面；
所述测量面与所述承托台的顶面位置齐平；
多个刻度尺，径向均布于所述测量面上。
2.根据权利要求1所述的校正装置，其特征在于，所述承托台的边缘与所述吸附盘本体的边缘形成有一距离差；
所述测量面的宽度与所述距离差相等。
3.根据权利要求1所述的校正装置，其特征在于，所述圆形柱体的内径与所述承托台的直径相等。
4.根据权利要求1所述的校正装置，其特征在于，所述圆形柱体与所述环形突出部一体形成。
5.根据权利要求1所述的校正装置，其特征在于，所述圆形柱体以及所述环形突出部由特氟龙材质制成。
6.根据权利要求1所述的校正装置，其特征在于，所述刻度尺为毫米尺。
7.根据权利要求1所述的校正装置，其特征在于，所述刻度尺设置有4个。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
