[实用新型]一种校正装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种用于干法刻蚀机台以及化学气相沉积机台真空腔体中传送位置的校正装置。

背景技术

机台真空腔体，是用以对外部传送机构传送的晶圆进行反应的腔体，其中对晶圆涉及的反应工艺包括，干法刻蚀(Dry ETCH)和化学气象沉积(chemical vapor deposition、CVD)等，为了保证工艺在晶圆中精确的反应，需要对机台进行日常保养和维护，其中保养和维护操作会涉及到对机台真空腔进行传送校正的动作，其校正的目的在于，被外部传送机构传送的晶圆能准确的放置于真空腔体内，而不出现较大的位置偏移导致晶圆反应受到影响。

现有的校正通常是把样品晶圆或者具有刻度的晶圆传送到机台里，通过人眼观测来判断传送的位置是否达到预设的标准，而人为的观测和判断误差太大，容易造成重复校正的操作，也容易造成传送位置的偏边而导致传送的晶圆出现边缘损伤，或者造成晶圆边缘聚合物的堆积，进而导致晶圆不良的缺陷。

发明内容

针对现有技术中在校正机台真空腔体存在的上述问题，现提供一种将刻度尺设置于测量面上，通过刻度尺可准确的测量出放置于机台真空腔体中的晶圆出现的偏移位置以及偏移量，进而根据偏移位置以及偏移量采取针对性的校正，提高了校正精度的校正装置。

具体技术方案如下：

一种校正装置，应用于干法刻蚀机台以及化学气相沉积机台真空腔体中的静电吸附盘上，所述静电吸附盘包括一吸附盘本体，以及设置于所述吸附盘本体上的一承托台，所述承托台的横基面呈圆形，所述承托台的顶部用以放置一晶圆，其中，所述校正装置包括：

一中空的圆形柱体，用以套设于所所述承托台上；

环形出部，水平的环设于所述圆形柱体的靠近所述承托台的一端的顶部，所述环形突出部的顶面形成一测量面；

所述测量面与所述承托台的顶面位置齐平；

多个刻度尺，径向均布于所述测量面上。

优选的，所述承托台的边缘与所述吸附盘本体的边缘形成有一距离差；

所述测量面的宽度与所述距离差相等。

优选的，所述圆形柱体的内径与所述承托台的直径相等。

优选的，所述圆形柱体与所述环形突出部一体形成。

优选的，所述圆形柱体以及所述环形突出部由特氟龙材质制成。

优选的，所述刻度尺为毫米尺。

优选的，所述刻度尺设置有4个。

上述技术方案具有如下优点或有益效果：测量面的顶面与承托台的顶面齐平，将用以测试的晶圆样品通过外部的传送机构传送至承托台的顶面，进而可根据设置于测量面上的多个刻度尺测量出放置于承托台顶面的晶圆样品是否出现位置偏移，以及在出现偏移时获取具体的偏移量，方便使用者对机台真空腔体中进行针对性的校正，提高了校正精度。

附图说明

图1为本实用新型一种校正装置的实施例的结构示意图

图2为本实用新型一种校正装置的实施例中，关于校正装置的俯面视图；

图3为本实用新型一种校正装置的实施例中，关于校正装置的测量面的结构示意图。

附图标记表示:

1、静电吸附盘；2、校正装置；21、圆柱形本体；22、环形突出部；23、测量面；24、刻度尺。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本实用新型中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步说明，但不作为本实用新型的限定。

如图1至图3所示，一种校正装置的实施例，应用于干法刻蚀机台以及化学气相沉积机台真空腔体中的静电吸附盘上，静电吸附盘包括一吸附盘本体1，以及设置于吸附盘本体1上的一承托台(未于图中示出)，承托台的横基面呈圆形，承托台的顶部用以放置一晶圆，其中，所述校正装置2包括：

一中空的圆形柱体21，用以套设于所所述承托台上；

环形突出部22，水平的环设于所述圆形柱体21的靠近所述承托台的一端的顶部，所述环形突出部22的顶面形成一测量面23；

所述测量面23与所述承托台的顶面位置齐平；

多个刻度尺24，径向均布于所述测量面23上。