[实用新型]一种IPD无反射低通滤波器

权利要求书

1.一种IPD无反射低通滤波器，其特征在于：包括金属导体层、设在所述金属导体层上方的第一硅介质层、设在所述第一硅介质层上方的第二硅介质层、设在所述第二硅介质层上方的电路结构层、设在所述电路结构层上方的硅氧化层及与电路结构层连通的电阻，其中所述电路结构层包括彼此互相导通的输入端、输出端、第一接地端、第二接地端及第三接地端，所述电路结构层上连接有第一电感、第二电感及第三电感，所述硅氧化层包括第一电容、第二电容及第三电容，所述电阻包括第一电阻、第二电阻、第三电阻及第四电阻。

2.如权利要求1所述的一种IPD无反射低通滤波器，其特征在于：所述电路结构层的输入端连接第一电感，在第一电感和输入端之间连接第一电阻一端，第一电阻另一端连接在第二电感输出端，第一电感的输入端连接第一电容的上极板，第一电容的下极板连接第二电感的输入端，第二电感和第一电容之间连接第三电阻的一端，第二电感输出端连接第一接地端。

3.如权利要求2所述的一种IPD无反射低通滤波器，其特征在于：所述第三电阻和第四电阻相连接，在第三电阻和第四电阻之间连接第三电容上极板，第三电容的下极板连接第二接地端。

4.如权利要求3所述的一种IPD无反射低通滤波器，其特征在于：所述第一电感另一端与输出端连接，在第一电感和输出端之间连接第二电阻一端，第二电阻另一端连接在第三电感输出端，第一电感的输出端连接第二电容的上极板，第二电容的下极板连接第三电感的输入端，第三电感和第二电容之间连接第四电阻一端，第三电感输出端连接第三接地端。

5.如权利要求4所述的一种IPD无反射低通滤波器，其特征在于：所述第一电容、第二电容、第三电容均采取的是平行板电容，通过在平行板之间填充高介电材料提高电容量。

6.如权利要求5所述的一种IPD无反射低通滤波器，其特征在于：所述第一电感、第二电感、第三电感均采取的是平面螺旋结构，利用硅平面刻蚀技术实现。

7.如权利要求6所述的一种IPD无反射低通滤波器，其特征在于：所述第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻均是由82％Ni和18％Cr组成，通过磁控溅射共沉积方法获得精准电阻。