[实用新型]半导体封装及半导体封装组件

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体封装及半导体封装组件。

背景技术

各种电子设备可包括具有各种结构的半导体装置以及电子装置以用于交换各种讯号，其中半导体装置和电子装置在操作期间会发射电磁波。

电磁波会干扰半导体装置和电子装置的操作，因为这些装置会非常靠近地一起安装在主机板上。据此，屏蔽电磁波的结构和/或方法是有需要的。

通过比较这些系统与如在本申请中参照附图的其余部分阐述的本实用新型的某些态样，对于本领域的技术人员而言，常规和传统方法的进一步限制和缺点将变得显而易见。

实用新型内容

本实用新型的半导体封装以及其制造方法大致上示于附图的至少一者中和/或结合附图的至少一者来描述，并在权利要求书中进行更完整的阐述。

本实用新型的各种优点、态样和新颖性特征，以及其实施例所例示的细节，将从下面的描述和附图而更充分地理解。

一种半导体封装组件，其包括：基板；第一半导体装置，其附接至所述基板的顶部；囊封物，其囊封所述第一半导体装置；沟槽，其形成在所述囊封物中；以及屏蔽层，其形成在所述囊封物的表面上。进一步地，其中所述基板包括：第一基板部分，其包括第一传导结构和第一介电结构；以及第二基板部分，其包括第二传导结构和第二介电结构。进一步地，其包括：传导凸块，其形成在所述第一基板部分上。进一步地，其包括：高度小于所述传导凸块的第二半导体装置，其被附接至所述第一基板部分。进一步地，其中所述沟槽被形成以穿过所述囊封物和所述基板。进一步地，其中所述屏蔽层被形成在所述囊封物的顶表面、所述囊封物的侧表面以及所述基板的侧表面上。进一步地，其中所述屏蔽层被形成在所述沟槽的底部上并且被电性连接至所述基板的接地。进一步地，其中所述基板是具有核心的印刷电路板。进一步地，其包括：传导凸块，其形成在所述基板上。进一步地，其中所述沟槽被形成以穿过所述囊封物和所 述基板。进一步地，其包括：黏合构件，其被附接至所述基板，以包围所述传导凸块。

一种半导体封装组件，其包括：第一基板部分；半导体装置，其被附接至所述第一基板部分的顶侧；囊封物，其囊封所述半导体装置；沟槽，其形成在所述囊封物中；屏蔽层，其形成在所述囊封物的表面上；以及第二基板部分，其形成在所述第一基板部分上。进一步地，其中所述第一基板部分包括传导结构和介电结构。进一步地，其中所述沟槽被形成以穿过所述囊封物以及所述第一基板部分。进一步地，其中所述屏蔽层被形成在所述囊封物的顶表面、所述囊封物的侧表面、所述第一基板部分的侧表面以及所述沟槽的底部上。进一步地，其中所述屏蔽层被电性连接至所述第一基板部分和所述第二基板部分中的一或两者的接地。进一步地，其包括：光阻材料，其被注入到所述沟槽中。进一步地，其包括：传导凸块，其被形成于所述第二基板部分上。

一种半导体封装，其包括：基板；半导体装置，其被附接至所述基板；囊封物，其囊封在所述基板上的所述半导体装置；以及屏蔽层，其被形成于所述囊封物的表面上。进一步地，其中所述屏蔽层被形成在所述囊封物的顶表面、所述囊封物的侧表面以及所述基板的侧表面上。进一步地，其中所述屏蔽层被电性连接至所述基板的接地。

附图说明

图1A至图1J是根据本实用新型的实施例依序地例示半导体封装的制造方法的制程步骤的截面图。

图2A至图2H是根据本实用新型的另一实施例依序地例示半导体封装的制造方法的制程步骤的截面图。

图3A至图3G是根据本实用新型的又另一实施例依序地例示半导体封装的制造方法的制程步骤的截面图。

具体实施方式

本实用新型的实施例不应被解释为限于本文所阐述的描述。相反地，这些实施例被提供作示例(诸如但不限于，一形状所投影的表面的变化、投影到此表面上的入射角的变化、所投影的元件的性质和结构的变化等等)，以使本实用新型更为详尽和完整，并且将向本领域技术人员充分地表达本实用新型的范围。所附权利要求书说明本实用新型的一些实施例。

在以下讨论中，“举例而言”、“例如”、“范例性”等词是非限制性的，并且一般而言与“举例来说而无限制”、“举例而言且无限制”和类似者同义。