[实用新型]眼图交叉点调整电路有效
| 申请号： | 201720740985.0 | 申请日： | 2017-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN207218704U | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 林安;李景虎;涂航辉 | 申请（专利权）人： | 千度芯通（厦门）微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H04B10/69 | 分类号： | H04B10/69;H03K3/017 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所23109 | 代理人： | 刘士宝 |
| 地址： | 361011 福建省厦门市自由*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 交叉点 调整 电路 | ||
1.眼图交叉点调整电路，其特征在于，包括NPN晶体管Q1～Q6、NMOS晶体管M1～M2和电阻R1～R7；
NPN晶体管Q1的基极通过电容C1连接跨阻放大器TIA的正向输出端；
参考电压VREF通过电阻R8为电容C1输出的交流小信号提供直流工作点C；
NPN晶体管Q2的基极通过电容C2连接跨阻放大器TIA的反向输出端；
参考电压VREF通过电阻R9为电容C2输出的交流小信号提供直流工作点D；
NPN晶体管Q1的集电极同时连接电阻R4的一端和NPN晶体管Q5的集电极；
NPN晶体管Q2的集电极同时连接电阻R5的一端和NPN晶体管Q6的集电极；
NPN晶体管Q1的发射极同时连接电阻R1的一端和NPN晶体管Q3的集电极；
NPN晶体管Q2的发射极同时连接电阻R1的另一端和NPN晶体管Q4的集电极；
NPN晶体管Q3的基极、NPN晶体管Q4的基极同时接入偏置电压Vb1；
NPN晶体管Q3的发射极通过电阻R2接地；
NPN晶体管Q4的发射极通过电阻R3接地；
NPN晶体管Q5的基极接入芯片外部调整电压VTHP；
NPN晶体管Q6的基极接入芯片外部调整电压VTHN；
NPN晶体管Q5的发射极通过电阻R6连接NMOS晶体管MN1的漏极；
NPN晶体管Q6的发射极通过电阻R7连接NMOS晶体管MN2的漏极；
NMOS晶体管MN1的栅极、NMOS晶体管MN2的栅极同时接入偏置电压Vb2；
NMOS晶体管MN1的源极、NMOS晶体管MN2的源极同时接GND；
电阻R4的另一端、电阻R5的另一端同时连接电源VDD。
2.根据权利要求1所述眼图交叉点调整电路，其特征在于，电阻R4和电阻R5的阻值相等。
3.根据权利要求1所述眼图交叉点调整电路，其特征在于，电容C1和电容C2为交流耦合电容。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于千度芯通（厦门）微电子科技有限公司，未经千度芯通（厦门）微电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201720740985.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种MCU载波通信设备
- 下一篇：一种列车网络系统
