[实用新型]一种基于加长半蚀刻拱形内引脚QFN框架及其封装芯片

权利要求书

1.一种基于加长半蚀刻拱形内引脚QFN框架，包括蚀刻区和基岛固定区，其特征在于，所述蚀刻区位于基岛固定区的周围，蚀刻区与基岛固定区之间设有基岛支架，基岛支架为半蚀刻，基岛固定区包括基岛，所述基岛固定在基岛支架顶部，基岛用于固定芯片；蚀刻区与基岛固定区之间不直接接触，蚀刻区包括多个引脚，引脚包括引脚根部、引脚中部和引脚前部；引脚前部位于靠近基岛的蚀刻区内边上，引脚根部位于远离基岛的蚀刻区外边上，引脚根部和引脚前部之间通过引脚中部连接；引脚根部和引脚前部为未蚀刻或部分半蚀刻，引脚中部为半蚀刻；还包括焊线，焊线的一端连接引脚前部，焊线的另一端连接芯片的焊接点。

2.根据权利要求1所述的基于加长半蚀刻拱形内引脚QFN框架，其特征在于，所述引脚根部和引脚前部均为细长的矩形。

3.根据权利要求1或2所述的基于加长半蚀刻拱形内引脚QFN框架，其特征在于，所述引脚前部靠近基岛的一端部分半蚀刻，引脚前部远离基岛的一端未蚀刻。

4.根据权利要求1或2所述的基于加长半蚀刻拱形内引脚QFN框架，其特征在于，还包括塑封料，所述塑封料将蚀刻区和基岛固定区密封起来，所述塑封料为长方体或圆柱状，且由塑封料粉状颗粒料堆砌而成。

5.根据权利要求1或2所述的基于加长半蚀刻拱形内引脚QFN框架，其特征在于所述蚀刻区与基岛固定区之间采用全蚀刻的方式使蚀刻区与基岛固定区之间不直接接触。

6.根据权利要求1或2所述的基于加长半蚀刻拱形内引脚QFN框架，其特征在于，还包括隔离带，所述隔离带贴附在蚀刻区和基岛固定区的背面，所述隔离带为耐高温PET薄膜或PEEK片材膜，隔离带可剥离。

7.根据权利要求2所述的基于加长半蚀刻拱形内引脚QFN框架，其特征在于，基岛固定区为矩形，蚀刻区为回字环状结构。

8.根据权利要求7所述的基于加长半蚀刻拱形内引脚QFN框架，其特征在于，所述引脚根部与引脚前部的均与朝向的基岛固定区的边长垂直，多个引脚的引脚前部的间距小于多个引脚的引脚根部的间距。

9.根据权利要求8所述的基于加长半蚀刻拱形内引脚QFN框架，其特征在于，引脚中部的一端连接引脚前部远离基岛的一端，引脚中部的另一端连接引脚根部靠近基岛的一端。

10.一种基于加长半蚀刻拱形内引脚QFN框架的封装芯片，其特征在于，包括基于加长半蚀刻拱形内引脚QFN框架与芯片，所述芯片固定在基于加长半蚀刻拱形内引脚QFN框架的基岛上。