[实用新型]一种基于加长半蚀刻拱形内引脚QFN框架及其封装芯片

说明书

技术领域

本实用新型涉及引脚框架技术领域，尤其涉及一种基于加长半蚀刻拱形内引脚QFN框架及其封装芯片。

背景技术

在半导体QFN封装的引线框设计时，内引脚设计因基岛设计尺寸尽可能大而变短，当芯片封装在这种大基岛框架中时，则需要从芯片引脚拉出较长的焊线才能与内引脚联通。在一些焊线布局复杂情况下，焊线与焊线之间因为线长，导致焊线漂移短路，电阻值变高等异常，使得产品良率因此损失，功能达不到设计要求等问题。

实用新型内容

实用新型目的：为了解决现有技术存在的缺点，尽量避免焊线在塑封时发生漂移短路现象，本实用新型提供一种基于加长半蚀刻拱形内引脚QFN框架。

本实用新型的另一目的是提供一种基于加长半蚀刻拱形内引脚QFN框架的封装芯片。

技术方案：一种基于加长半蚀刻拱形内引脚QFN框架，包括蚀刻区和基岛固定区，所述蚀刻区位于基岛固定区的周围，蚀刻区与基岛固定区之间设有基岛支架，基岛支架为半蚀刻，基岛固定区包括基岛，所述基岛固定在基岛支架顶部，基岛用于固定芯片；蚀刻区与基岛固定区之间不直接接触，蚀刻区包括多个引脚，引脚包括引脚根部、引脚中部和引脚前部；引脚前部位于靠近基岛的蚀刻区内边上，引脚根部位于远离基岛的蚀刻区外边上，引脚根部和引脚前部之间通过引脚中部连接；引脚根部和引脚前部为未蚀刻或部分半蚀刻，引脚中部为半蚀刻；还包括焊线，焊线的一端连接引脚前部，焊线的另一端连接芯片的焊接点。

进一步的，所述引脚根部和引脚前部均为细长的矩形。

进一步的，所述引脚前部靠近基岛的一端部分半蚀刻，引脚前部远离基岛的一端未蚀刻。

进一步的，还包括塑封料，所述塑封料将蚀刻区和基岛固定区密封起来，所述塑封料为长方体或圆柱状，且由塑封料粉状颗粒料堆砌而成。

进一步的，所述蚀刻区与基岛固定区之间采用全蚀刻的方式使蚀刻区与基岛固定区之间不直接接触。

进一步的，还包括隔离带，所述隔离带贴附在蚀刻区和基岛固定区的背面，所述隔离带为耐高温PET薄膜或PEEK片材膜，隔离带可剥离。

进一步的，基岛固定区为矩形，蚀刻区为回字环状结构。

进一步的，所述引脚根部与引脚前部的长均与朝向的基岛固定区的边长垂直，多个引脚的引脚前部的间距小于多个引脚的引脚根部的间距。

进一步的，引脚中部的一端连接引脚前部远离基岛的一端，引脚中部的另一端连接引脚根部靠近基岛的一端。

一种基于加长半蚀刻拱形内引脚QFN框架的封装芯片，包括基于加长半蚀刻拱形内引脚QFN框架与芯片，所述芯片固定在基于加长半蚀刻拱形内引脚QFN框架的基岛上。

有益效果：本实用新型提供一种基于加长半蚀刻拱形内引脚QFN框架及其封装芯片，通过引脚根部和引脚前部设计成长条形矩形，加长引脚的长度，替代一部分的焊线，缩短了所需焊线的长度，能够极大程度的避免焊线在塑封时发生漂移短路现象，能够增加成品率，提高生产效益。

附图说明

图1为本实用新型提出的一种基于加长半蚀刻拱形内引脚QFN框架的结构示意图；

图2为本实用新型提出的一种基于加长半蚀刻拱形内引脚QFN框架的背面结构示意图；

图3为图1中A-A方向的剖视图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步说明。

如图1和2所示，一种基于加长半蚀刻拱形内引脚QFN框架，包括蚀刻区1和基岛固定区，基岛固定区包括基岛2，基岛用于固定芯片7；所述蚀刻区1位于基岛固定区的周围，蚀刻区1与基岛固定区之间设有基岛支架3，所述基岛支架3为半蚀刻；所述基岛2固定在基岛支架3顶部；蚀刻区与基岛固定区之间不直接接触，通过全蚀刻将蚀刻区与基岛固定区之间的部分挖空，使其不直接接触；蚀刻区1包括多个引脚，引脚包括引脚根部4、引脚中部6和引脚前部5；引脚前部5位于靠近基岛2的蚀刻区内边上，引脚根部4位于远离基岛2的蚀刻区外边上，引脚根部4和引脚前部5之间通过引脚中部6连接；引脚根部4未蚀刻，引脚前部5靠近基岛2的一端半蚀刻，引脚前部5远离基岛2的一端未蚀刻，当然，引脚前部5也可以未蚀刻，但效果不如本实施例更好；引脚中部6为半蚀刻；还包括焊线8，焊线8的一端连接引脚前部5，焊线8的另一端连接芯片7的焊接点。