[实用新型]一种精确的POR电路有效
申请号: | 201720775823.0 | 申请日: | 2017-06-29 |
公开(公告)号: | CN206848852U | 公开(公告)日: | 2018-01-05 |
发明(设计)人: | 许超群;易俊 | 申请(专利权)人: | 英麦科(厦门)微电子科技有限公司 |
主分类号: | G05F1/567 | 分类号: | G05F1/567 |
代理公司: | 厦门市精诚新创知识产权代理有限公司35218 | 代理人: | 何家富 |
地址: | 361000 福建省厦门市中国(福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 精确 por 电路 | ||
1.一种精确的POR电路,其特征在于:包括阈值产生电路和反相器INV1,所述阈值产生电路包括NPN三极管M0-M2、电阻R0-R1和第一电流镜,所述NPN三极管M0和M2的发射极面积相等,所述NPN三极管M0的发射极面积与NPN三极管M1的发射极面积的比值大于1,所述电阻R0的第一端作为阈值产生电路的输入端接输入电源,所述电阻R0的第二端分别接NPN三极管M0的集电极和基极,所述NPN三极管M0的发射极接地,所述NPN三极管M1的基极与NPN三极管M0的基极连接,所述NPN三极管M1的集电极接第一电流镜的输入端,所述NPN三极管M1的发射极串联电阻R1接地,所述NPN三极管M2的基极与NPN三极管M0的基极连接,所述NPN三极管M2的集电极接第一电流镜的输出端,所述NPN三极管M2的发射极接地,所述NPN三极管M2的集电极作为阈值产生电路的输出端接反相器INV1的输入端。
2.根据权利要求1所述的精确的POR电路,其特征在于:所述第一电流镜包括PMOS管M3和M4,所述PMOS管M3和M4的源极同时接输入电源,所述PMOS管M3和M4的栅极相连,所述PMOS管M3的栅极和漏极接NPN三极管M1的集电极,所述PMOS管M4的漏极接NPN三极管M2的集电极。
3.根据权利要求1所述的精确的POR电路,其特征在于:所述第一电流镜包括PNP三极管M6和M7,所述PNP三极管M6和M7的发射极同时接输入电源,所述PNP三极管M6和M7的基极相连,所述PNP三极管M7的基极和集电极接NPN三极管M1的集电极,所述PNP三极管M6的集电极接NPN三极管M2的集电极。
4.根据权利要求1-3任意一项所述的精确的POR电路,其特征在于:还包括分压电路,所述分压电路的输入端接输入电源,所述分压电路的输出端接阈值产生电路的输入端。
5.根据权利要求4所述的精确的POR电路,其特征在于:所述分压电路包括电阻R3-R4、运放A1和NMOS管M5,所述电阻R3和R4串联后接在输入电源与地之间,所述电阻R3和R4的节点接运放A1的同相输入端,所述运放A1的反相输入端接电阻R0的第一端,所述运放A1的输出端接NMOS管M5的栅极,所述NMOS管M5的漏极接输入电源,所述NMOS管M5的源极接电阻R0的第一端。
6.根据权利要求5所述的精确的POR电路,其特征在于:所述电阻R3和/或电阻R4为可调电阻。
7.一种精确的POR电路,其特征在于:包括阈值产生电路和反相器INV1,所述阈值产生电路包括PNP三极管M0-M2、电阻R0-R1和第二电流镜,所述PNP三极管M0和M2的发射极面积相等,所述PNP三极管M0的发射极面积与PNP三极管M1的发射极面积的比值大于1,所述PNP三极管M0的发射极作为阈值产生电路的输入端接输入电源,所述PNP三极管M0的集电极串联电阻R0接地,所述PNP三极管M0-M2的基极和PNP三极管M0的集电极连接,所述PNP三极管M1的发射极串联电阻R1接PNP三极管M0的发射极,所述PNP三极管M1的集电极接第二电流镜的输入端,所述PNP三极管M2的发射极接PNP三极管M0的发射极,所述PNP三极管M2的集电极接第二电流镜的输出端,所述PNP三极管M2的集电极作为阈值产生电路的输出端接反相器INV1的输入端。
8.根据权利要求7所述的精确的POR电路,其特征在于:还包括分压电路,所述分压电路的输入端接输入电源,所述分压电路的输出端接阈值产生电路的输入端。
9.根据权利要求8所述的精确的POR电路,其特征在于:所述分压电路包括电阻R3-R4、运放A1和NMOS管M5,所述电阻R3和R4串联后接在输入电源与地之间,所述电阻R3和R4的节点也运放A1的同相输入端,所述运放A1的反相输入端接PNP三极管M0的发射极,所述运放A1的输出端接NMOS管M5的栅极,所述NMOS管M5的漏极接输入电源,所述NMOS管M5的源极接PNP三极管M0的发射极。
10.根据权利要求9所述的精确的POR电路,其特征在于:所述电阻R3和/或电阻R4为可调电阻。
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