[实用新型]一种精确的POR电路

说明书

技术领域

本实用新型属于电路技术领域，具体地涉及一种精确的POR电路。

背景技术

上电复位电路(Power On Reset电路，简称POR电路)已经广泛应用于各类系统芯片中。一个电路系统在刚刚上电的时候，电源电压还未达到预期的稳定状态，芯片中各个功能模块，各个电路节点电压和逻辑电平处于未知状态；从这种不确定的初始状态开始运行芯片，很可能会造成系统的错误执行，甚至会破坏整个系统的正常工作能力。为了使芯片从一个预定的初始状态开始工作，需要使用上电复位电路在上电初期产生一个复位信号，初始化整个系统芯片。

现有的POR电路大多基于反相器的结构，阈值受工艺、电压、温度(PVT)等影响很大，无法给出一个精确的POR阈值，这在一些需要低压，高精度，低功耗的的系统中无法满足指标

如图1所示的传统的基于反相器的POR电路，受PMOS管M3′和M4′的导通阈值、PMOS管M2′的导通电阻Rdson及电阻R1′的影响导致POR阈值不精确。实验结果表明该基于传统的反相器结构的POR电路受PVT影响阈值精度在0.9V左右。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种精确的POR电路用以解决上述问题。

为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案为：一种精确的POR电路，包括阈值产生电路和反相器INV1，所述阈值产生电路包括NPN三极管M0-M2、电阻R0-R1和第一电流镜，所述NPN三极管M0和M2的发射极面积相等，所述NPN三极管M0的发射极面积与NPN三极管M1的发射极面积的比值大于1，所述电阻R0的第一端作为阈值产生电路的输入端接输入电源，所述电阻R0的第二端分别接NPN三极管M0的集电极和基极，所述NPN三极管M0的发射极接地，所述NPN三极管M1的基极与NPN三极管M0的基极连接，所述NPN三极管M1的集电极接第一电流镜的输入端，所述NPN三极管M1的发射极串联电阻R1接地，所述NPN三极管M2的基极与NPN三极管M0的基极连接，所述NPN三极管M2的集电极接第一电流镜的输出端，所述NPN三极管M2的发射极接地，所述NPN三极管M2的集电极作为阈值产生电路的输出端接反相器INV1的输入端。

进一步的，所述第一电流镜包括PMOS管M3和M4，所述PMOS管M3和M4的源极同时接输入电源，所述PMOS管M3和M4的栅极相连，所述PMOS管M3的栅极和漏极接NPN三极管M1的集电极，所述PMOS管M4的漏极接NPN三极管M2的集电极。

进一步的，所述第一电流镜包括PNP三极管M6和M7，所述PNP三极管M6和M7的发射极同时接输入电源，所述PNP三极管M6和M7的基极相连，所述PNP三极管M7的基极和集电极接NPN三极管M1的集电极，所述PNP三极管M6的集电极接NPN三极管M2的集电极。

进一步的，还包括分压电路，所述分压电路的输入端接输入电源，所述分压电路的输出端接阈值产生电路的输入端。

更进一步的，所述分压电路包括电阻R3-R4、运放A1和NMOS管M5，所述电阻R3和R4串联后接在输入电源与地之间，所述电阻R3和R4的节点接运放A1的同相输入端，所述运放A1的反相输入端接电阻R0的第一端，所述运放A1的输出端接NMOS管M5的栅极，所述NMOS管M5的漏极接输入电源，所述NMOS管M5的源极接电阻R0的第一端。

更进一步的，所述电阻R3和/或电阻R4为可调电阻。

本实用新型还公开了另一种精确的POR电路，包括阈值产生电路和反相器INV1，所述阈值产生电路包括PNP三极管M0-M2、电阻R0-R1和第二电流镜，所述PNP三极管M0和M2的发射极面积相等，所述PNP三极管M0的发射极面积与PNP三极管M1的发射极面积的比值大于1，所述PNP三极管M0的发射极作为阈值产生电路的输入端接输入电源，所述PNP三极管M0的集电极串联电阻R0接地，所述PNP三极管M0-M2的基极和PNP三极管M0的集电极连接，所述PNP三极管M1的发射极串联电阻R1接PNP三极管M0的发射极，所述PNP三极管M1的集电极接第二电流镜的输入端，所述PNP三极管M2的发射极接PNP三极管M0的发射极，所述PNP三极管M2的集电极接第二电流镜的输出端，所述PNP三极管M2的集电极作为阈值产生电路的输出端接反相器INV1的输入端。

进一步的，还包括分压电路，所述分压电路的输入端接输入电源，所述分压电路的输出端接阈值产生电路的输入端。