[实用新型]一种半导体芯片封装分解剥离装置

说明书

一种半导体芯片封装分解剥离装置，该装置包括载物台、处理器、模式选择开关、激光器和等离子发生器，模式选择开关包括三个可选择模式，即激光模式、等离子模式和混合模式，模式选择开关将所选择的模式信息发送至处理器，处理器根据所选择的模式信息，发送相应的控制信号至激光器或/和等离子发生器。由于通过激光器发出激光束可快速烧结消除分解半导体芯片封装，使用等离子发生器输出的等离子气体也可熔化和气化半导体芯片封装，使得封装被分解剥离得更彻底，分解剥离效率高，分解剥离的效果好，减小了分解剥离过程对芯片绑定线路的氧化与损伤，不留残余。

技术领域

本申请涉及半导体以及电子仪器技术领域，具体涉及一种半导体芯片封装分解剥离装置。

背景技术

半导体芯片封装是指将集成电路打包的、外表的绝缘塑料或陶瓷材料，为研究或故障分析半导体芯片内部的绑定线路，需要先将半导体芯片封装分解剥离。现有的分解剥离方法常使用化学方法腐蚀或四氟化碳和氩气混合等离子刻蚀半导体芯片封装，容易损伤或氧化绑定线路，也容易对半导体Si芯片造成损伤，使得芯片Si3N4钝化层过腐蚀，而且四氟化碳为有毒气体，对人体健康不利，现有的分解剥离效率也不高，分解剥离速度慢。

发明内容

本申请提供一种半导体芯片封装分解剥离装置，减少分解剥离过程中对芯片绑定线路的腐蚀与氧化，提升了分解剥离速度，降低了对芯片线路的物理损伤。

本申请提供一种半导体芯片封装分解剥离装置,包括用于放置待处理的半导体芯片的载物台，还包括处理器、模式选择开关、激光器和等离子发生器；

模式选择开关与处理器相连接，将所选择的模式信息发送至处理器，模式选择开关包括三个可选择模式，即激光模式、等离子模式和混合模式；

处理器根据所选择的模式信息，发送相应的控制信号至激光器或/和等离子发生器；

激光器设置于载物台正上方，所述激光器根据所述控制信号，发出激光束，激光束快速烧结所述半导体芯片封装；

等离子发生器根据所述控制信号，输出高能、高温的等离子气体，所述等离子气体被排放在所述半导体芯片的封装表面，将所述半导体芯片封装熔化后气化。

在一些实施例中，

所述载物台的高度可调节；

所述封装分解剥离装置还包括：光源、聚焦物镜和CCD图像采集器；

所述焦物镜设置于载物台正上方，通过调节载物台的高度可使得焦物镜的焦点与所述半导体芯片的封装表面重合；所述CCD图像采集器用于采集所述半导体芯片封装的图像信息，所述图像信息被发送至处理器；所述光源用于发出可见光，可见光通过聚焦物镜照射在所述半导体芯片的封装表面，再经折射后，进入CCD图像采集器中，使得CCD图像采集器采集到所述半导体芯片封装的图像信息；

所述处理器根据所述图像信息，计算出所述半导体芯片封装的尺寸范围与厚度以及分解剥离封装激光器需工作的时间或/和所需的等离子量。

在一些实施例中，封装分解剥离装置还包括激光扫描控制器，所述激光扫描控制器位于激光器正下方，激光器发出的激光束经激光扫描控制器的作用后，照射角度和方向不断变化，使得激光照射范围覆盖所述半导体芯片封装表面的全部面积。

在一些实施例中，所述等离子发生器设置有用于输入工作气体的工作气体入口，等离子发生器将输入的工作气体变换为等离子气体；所述等离子发生器的出口还设置有高温探针，高温探针末端放置于所述半导体芯片的封装表面上方，等离子发生器输出的等离子气体经高温探针排放在所述半导体芯片的封装表面。

在一些实施例中，所述工作气体入口还设置有工作气体阀门，所述处理器根据所述所需的等离子量，控制所述工作气体阀门的开启或关闭。