[实用新型]低回波损耗的探测器结构

权利要求书

1.一种低回波损耗的探测器结构，其特征在于，包括封装壳体和依次设置于所述封装壳体内的用于固定斜8°尾纤的固定端面、用于固定透镜的透镜固定件和用于固定探测器芯片的芯片固定件，所述尾纤、所述透镜和所述探测器芯片的中心位于同一直线上，且所述芯片固定件倾斜设置使所述探测器芯片的中心轴线远离耦合光束的入射方向。

2.根据权利要求1所述的低回波损耗的探测器结构，其特征在于，所述芯片固定件的倾斜角度为4°-6°。

3.根据权利要求2所述的低回波损耗的探测器结构，其特征在于，所述芯片固定件的倾斜角度为5°。

4.根据权利要求1-3任一项所述的低回波损耗的探测器结构，其特征在于，还包括第一增透膜，所述第一增透膜的折射率为1.8-2.0，镀于所述探测器芯片表面。

5.根据权利要求4所述的低回波损耗的探测器结构，其特征在于，所述第一增透膜由S_iN_x材料制备得到。

6.根据权利要求5所述的低回波损耗的探测器结构，其特征在于，所述第一增透膜的厚度为1850-2000埃。

7.根据权利要求1-3任一项所述的低回波损耗的探测器结构，其特征在于，还包括第二增透膜，所述第二增透膜的折射率为1.46-2.2，镀于所述透镜表面。

8.根据权利要求7所述的低回波损耗的探测器结构，其特征在于，所述第二增透膜由Si、H4或Ta₂O₅制备得到。

9.根据权利要求8所述的低回波损耗的探测器结构，其特征在于，所述第二增透膜的厚度为1800-2200埃。

10.根据权利要求1-3任一项所述的低回波损耗的探测器结构，其特征在于，所述探测器芯片的帽层由InP制备而成，所述探测器芯片的吸收层由In0.53Ga0.47As制备而成。