[实用新型]低回波损耗的探测器结构有效
申请号: | 201720782665.1 | 申请日: | 2017-06-30 |
公开(公告)号: | CN207096475U | 公开(公告)日: | 2018-03-13 |
发明(设计)人: | 蔡阳光;刘铁权;张宇 | 申请(专利权)人: | 北京世维通科技股份有限公司 |
主分类号: | G01V8/16 | 分类号: | G01V8/16;G01V8/14 |
代理公司: | 北京邦信阳专利商标代理有限公司11012 | 代理人: | 刘金峰 |
地址: | 100084 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 回波 损耗 探测器 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及光电探测技术领域,具体涉及一种低回波损耗的探测器结构。
背景技术
光电探测器在光纤通信系统中起光电转换作用,在信号的光路传输中,是光接收机的核心元器件。随着光纤通信的发展,高速光纤传输系统的广泛应用,如SDH(Synchronous Digital Hierarchy,同步数字体系)、大功率CATV(Community Antenna Television,社区公共电视天线)系统等,都有很高的回波损耗和响应要求。
现有的光电探测器结构一般如图1a所示,包括封装壳体1,在所述封装壳体1内部设置有尾纤2,所述尾纤2通过固定端面3进行固定。尾纤2发出的光束经透镜4之后耦合至安装部件6上的探测器芯片5的光敏区。如图所示,为了降低光电探测器的回波损耗,所述固定端面3连同所述尾纤2的端面被设计为斜8°。图1b给出了该光电探测器结构的光路示意图,如图,尾纤2光经透镜4汇聚后被在探测器芯片5接收,部分光71不能完全接收,经透镜4后形成反射光72反射到尾纤2中形成回波损耗,当对探测器精度要求较高时,现有技术中的光电探测器无法满足低回波损耗的要求。
实用新型内容
本实用新型实施例旨在提供一种低回波损耗的探测器结构,以消除现有技术中由于探测器芯片反射光进入单模光纤中形成的回波损耗。
为此,本实用新型提供一种低回波损耗的探测器结构,包括封装壳体和依次设置于所述封装壳体内的用于固定斜8°尾纤的固定端面、用于固定透镜的透镜固定件和用于固定探测器芯片的芯片固定件,所述尾纤、所述透镜和所述探测器芯片的中心位于同一直线上,且所述芯片固定件倾斜设置使所述探测器芯片的中心轴线远离耦合光束的入射方向。
可选地,上述的低回波损耗的探测器结构中,所述芯片固定件的倾斜角度为4°-6°。
可选地,上述的低回波损耗的探测器结构中,所述芯片固定件的倾斜角度为5°。
可选地,上述的低回波损耗的探测器结构中,还包括第一增透膜,所述第一增透膜的折射率为1.8-2.0,镀于所述探测器芯片表面。
可选地,上述的低回波损耗的探测器结构中,所述第一增透膜由SiNx材料制备得到。
可选地,上述的低回波损耗的探测器结构中,所述第一增透膜的厚度为1850-2000埃。
可选地,上述的低回波损耗的探测器结构中,还包括第二增透膜,所述第二增透膜的折射率为1.46-2.2,镀于所述透镜表面。
可选地,上述的低回波损耗的探测器结构中,所述第二增透膜由Si、H4或Ta2O5制备得到。
可选地,上述的低回波损耗的探测器结构中,所述第二增透膜的厚度为1800-2200埃。
可选地,上述的低回波损耗的探测器结构中,所述探测器芯片的帽层由InP制备而成,所述探测器芯片的吸收层由In0.53Ga0.47As制备而成。
本实用新型提供的上述技术方案与现有技术相比,至少具有如下技术效果:
本实用新型提供的低回波损耗的探测器结构,包括封装壳体和依次设置于所述封装壳体内的用于固定斜8°尾纤的固定端面、用于固定透镜的透镜固定件和用于固定探测器芯片的芯片固定件,所述尾纤、所述透镜和所述探测器芯片的中心位于同一直线上,通过透镜将斜8°尾纤发射的光束耦合至探测器芯片表面,通过将所述芯片固定件倾斜设置使探测器芯片的中心轴线远离耦合光束的入射方向,相当于将探测器芯片的表面看作镜面,倾斜设置之后,增加了入射光的入射角也就增加了反射角,反射角增加之后,反射的光束进入透镜的几率降低,进而降低了进入固定斜8°尾纤的反射光数,有效降低了探测器的回波损耗。
附图说明
图1a为现有技术中探测器的结构示意图;
图1b为图1a所示结构的光路示意图;
图2a为本实用新型一个实施例所述的低回波损耗的探测器结构的示意图;
图2b为图2a所示结构的光路示意图;
图3为探测器芯片表面镀覆第一增透膜的光路示意图。
具体实施方式
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