[实用新型]电涌抑制器单体

权利要求书

1.一种电涌抑制器单体，包括铝板和半导体硒，其特征是：所述铝板外层四周和上下端面均设置有一层半导体硒，所述铝板包括第一铝板和第二铝板，所述第一铝板的高度略小于所述第二铝板的高度，所述第一铝板上设置有第一螺栓孔，所述第二铝板上设置有第二螺栓孔，所述第一铝板与所述第二铝板以其上的第一螺栓孔和第二螺栓孔为同一中心线高度连接在一起。

2.根据权利要求1所述的电涌抑制器单体，其特征是：所述半导体硒是高纯度的半导体硒，高纯度的半导体硒在高真空条件下直接蒸在所述铝板的外层，所述铝板的厚度为0.88mm。

3.根据权利要求1所述的电涌抑制器单体，其特征是：所述第一螺栓孔设置在所述第一铝板的中心部分，所述第二螺栓孔设置在所述第二铝板的中心部分，所述第一铝板与所述第二铝板均为正方形结构。

4.根据权利要求1所述的电涌抑制器单体，其特征是：所述铝板与所述半导体硒组合体具有单向导电性，额定工作电压25V，最大吸收电流每平方厘米2.5A，耗散功率每平方厘米约0.01瓦。