[实用新型]电涌抑制器单体有效
申请号: | 201720785812.0 | 申请日: | 2017-07-01 |
公开(公告)号: | CN206962441U | 公开(公告)日: | 2018-02-02 |
发明(设计)人: | 钱林;宋忠强;衡建伟 | 申请(专利权)人: | 鹤壁维达科巽电气有限公司 |
主分类号: | H02H9/04 | 分类号: | H02H9/04 |
代理公司: | 郑州金成知识产权事务所(普通合伙)41121 | 代理人: | 郭增欣 |
地址: | 458000 河南省*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 抑制器 单体 | ||
技术领域:
本实用新型涉及一种抑制器单体,特别是涉及一种电涌抑制器单体。
背景技术:
在航空、航海以及铁路运输等领域中,电力和电器过电压保护是非常重要的一个电路保护措施,特别是在野外,野外天气中,雷电是造成电路以及电子设备损坏的重要源头,雷电是由带电的云在空中放电导致的一种特殊的天气现象,所以说野外的过电压保护以及雷击保护更是要高质量,高标准。
实用新型内容:
本实用新型所要解决的技术问题是:克服现有技术的不足,提供一种维护简易、运行稳定的电涌抑制器单体。
本实用新型为解决技术问题所要采取的技术方案是:
一种电涌抑制器单体,包括铝板和半导体硒,所述铝板外层四周和上下端面均设置有一层半导体硒,所述铝板包括第一铝板和第二铝板,所述第一铝板的高度略小于所述第二铝板的高度,所述第一铝板上设置有第一螺栓孔,所述第二铝板上设置有第二螺栓孔,所述第一铝板与所述第二铝板以其上的第一螺栓孔和第二螺栓孔为同一中心线高度连接在一起。
所述半导体硒是高纯度的半导体硒,高纯度的半导体硒在高真空条件下直接蒸在所述铝板的外层,所述铝板的厚度为0.88mm。
所述第一螺栓孔设置在所述第一铝板的中心部分,所述第二螺栓孔设置在所述第二铝板的中心部分,所述第一铝板与所述第二铝板均为正方形结构。
所述铝板与所述半导体硒组合体具有单向导电性,额定工作电压25V,交流有效值允许变动20%相位电压,最大不超过75V,最大吸收电流每平方厘米2.5A,耗散功率每平方厘米约0.01瓦。
通过第一螺栓孔和第二螺栓孔将铝板设置在螺栓上,单片电涌抑制器的通向压降分三组,一组通向压降小于0.45V,二组通向压降小于0.55V,三组通向压降小于0.65V。
本实用新型的积极有益效果是:
1、本实用新型电涌抑制器单体具有单向通电性,能够在过电压或雷击时进行自愈,通过单体上的点击穿释放大量的能量,从而达到保护主要元器件不受损坏的目的。
2、本实用新型相位电压一致性好,漏电流小,能耗少,并且散热条件好,吸收功率大,利用螺栓进行组合,组装方便,运行稳定,维护简易,安全可靠,使用寿命长。
附图说明:
图1是本实用新型电涌抑制器单体的结构示意图;
图2是图1的左视图;
图3是图1的右视图;
图4是本实用新型电涌抑制器单体的反向伏安特性曲线正弦波、峰值;
图5是本实用新型电涌抑制器单体的相对额定吸收电流走势图。
具体实施方式:
下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步的解释和说明:
参见图1、图2、图3、图4和图5:图中,1-半导体硒,2-第一铝板,3-第二铝板,4-第一螺栓孔,5-第二螺栓孔。
实施例:一种电涌抑制器单体,包括铝板和半导体硒1,铝板外层四周和上下端面均设置有一层半导体硒1,铝板包括第一铝板2和第二铝板3,第一铝板2的高度略小于第二铝板3的高度,第一铝板2上设置有第一螺栓孔4,第二铝板3上设置有第二螺栓孔5,第一铝板2与第二铝板3以其上的第一螺栓孔4和第二螺栓孔5为同一中心线高度连接在一起。
半导体硒1是高纯度的半导体硒1,高纯度的半导体硒1在高真空条件下直接蒸在铝板的外层,铝板的厚度为0.88mm。
第一螺栓孔4设置在所述第一铝板2的中心部分,第二螺栓孔5设置在第二铝板3的中心部分,第一铝板2与第二铝板3均为正方形结构。
铝板与半导体硒1组合体具有单向导电性,额定工作电压25V,交流有效值允许变动20%相位电压,最大不超过75V,最大吸收电流每平方厘米2.5A,耗散功率每平方厘米约0.01瓦。
通过第一螺栓孔4和第二螺栓孔5将铝板设置在螺栓上,单片电涌抑制器的通向压降分三组,一组通向压降小于0.45V,二组通向压降小于0.55V,三组通向压降小于0.65V。
以上所述,仅是本实用新型的优先实施例而已,并未对本实用新型作任何形式上的限制,凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰,均仍属于本实用新型技术方案的保护范围内。
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