[实用新型]通信系统及跨阻放大器有效
| 申请号： | 201720789748.3 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN207706136U | 公开（公告）日： | 2018-08-07 |
| 发明（设计）人： | 汤姆·布勒凯尔特 | 申请（专利权）人： | 颖飞公司 |
| 主分类号： | H03F3/45 | 分类号： | H03F3/45;H04B10/291 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 梁丽超;田喜庆 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 跨阻放大器 光电二极管 输入端子 通信系统 触点 光学链路 节点通信 可变电感 控制触点 通信 电感器 可变控制电压 本实用新型 电气端子 开关设备 输出端子 有效电感 低增益 | ||
1.一种通信系统，其特征在于，包括：
光学链路；
光电二极管，所述光电二极管与所述光学链路通信并且包括电气端子；
跨阻放大器，所述跨阻放大器包括输入端子和在所述光电二极管与所述输入端子之间的可变电感部件，所述可变电感部件包括：
电感器，所述电感器具有与所述光电二极管通信的第一节点和与所述输入端子通信的第二节点；
开关设备，具有：
第一触点，所述第一触点与所述第一节点通信；
第二触点，所述第二触点与所述第二节点通信；以及
控制触点，所述控制触点与可变控制电压通信，以在低增益条件下改变在所述输入端子处的有效电感并且减少在跨阻放大器输出端子处的峰值。
2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，
所述开关设备包括SiGe bi-CMOS场效应晶体管；
所述第一触点包括所述bi-CMOS场效应晶体管的漏极；
所述第二触点包括所述bi-CMOS场效应晶体管的源极；以及
所述控制触点包括通过电阻器与所述可变电压源通信的所述bi-CMOS场效应晶体管的栅极。
3.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，
所述开关设备包括场效应晶体管；
所述第一触点包括所述场效应晶体管的漏极；
所述第二触点包括所述场效应晶体管的源极；以及
所述控制触点包括与可变电压源通信的所述场效应晶体管的栅极。
4.根据权利要求3所述的系统，其特征在于，所述场效应晶体管包括MOSFET。
5.根据权利要求4所述的系统，其特征在于，所述MOSFET包括p-通道MOSFET。
6.根据权利要求4所述的系统，其特征在于，所述MOSFET包括n-通道MOSFET。
7.根据权利要求3所述的系统，其特征在于，所述场效应晶体管包括JFET。
8.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述开关设备包括具有可移动元件的微电机械系统。
9.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述跨阻放大器被配置为以约18dB的动态范围进行操作。
10.一种跨阻放大器，其特征在于，包括：
输入端子；
可变电感部件，所述可变电感部件在所述输入端子与光电二极管之间，所述可变电感部件包括：
电感器，所述电感器具有与所述光电二极管通信的第一节点和与所述输入端子通信的第二节点；
开关设备，具有：
第一触点，所述第一触点与所述第一节点通信；
第二触点，所述第二触点与所述第二节点通信；以及
控制触点，所述控制触点与可变控制电压通信，以在低增益条件下改变所述输入端子处的有效电感并且减少在输出端子处的峰值。
11.根据权利要求10所述的跨阻放大器，其特征在于，
所述开关设备包括SiGe bi-CMOS场效应晶体管；
所述第一触点包括所述bi-CMOS场效应晶体管的漏极；
所述第二触点包括所述bi-CMOS场效应晶体管的源极；以及
所述控制触点包括通过电阻器与可变电压源通信的所述bi-CMOS场效应晶体管的栅极。
12.根据权利要求10所述的跨阻放大器，其特征在于，
所述开关设备包括场效应晶体管；
所述第一触点包括所述场效应晶体管的漏极；
所述第二触点包括所述场效应晶体管的源极；以及
所述控制触点包括与可变电压源通信的所述场效应晶体管的栅极。
13.根据权利要求12所述的跨阻放大器，其特征在于，所述场效应晶体管包括MOSFET。
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