[实用新型]通信系统及跨阻放大器

说明书

本实用新型提供了一种通信系统和跨阻放大器。该通信系统包括：光学链路；光电二极管，所述光电二极管与所述光学链路通信并且包括电气端子；跨阻放大器，所述跨阻放大器包括输入端子和在所述光电二极管与所述输入端子之间的可变电感部件，所述可变电感部件包括：电感器，所述电感器具有与所述光电二极管通信的第一节点和与所述输入端子通信的第二节点；开关设备，具有：第一触点，所述第一触点与所述第一节点通信；第二触点，所述第二触点与所述第二节点通信；以及控制触点，所述控制触点与可变控制电压通信，以在低增益条件下改变在所述输入端子处的有效电感并且减少在跨阻放大器输出端子处的峰值。该通信系统减少了不同增益条线下的峰值行为。

技术领域

本实用新型涉及一种电路，尤其涉及一种通信系统及跨阻放大器。

背景技术

CMOS技术通常用于设计实现光纤链路的通信系统。由于CMOS技术被缩小(scaleddown)以使电路和系统以更高速度运行并且占据更小的芯片(模具)面积，所以降低了工作供给电压以降低功率。深亚微米CMOS 工艺中的常规FET晶体管具有非常低的击穿电压，因此，工作供给电压保持在1伏特左右。为了获得更佳的光-电流响应度，28G和10G光学接收器中使用的光检测器(PD)需要在PD的阳极和阴极节点上施加大于2伏特的偏置电压。这些局限性对通信系统规模和性能的持续改进提出了严峻的挑战性。

实用新型内容

本实用新型提供了一种通信系统，包括：光学链路；光电二极管，所述光电二极管与所述光学链路通信并且包括电气端子；跨阻放大器，所述跨阻放大器包括输入端子和在所述光电二极管与所述输入端子之间的可变电感部件，所述可变电感部件包括：电感器，所述电感器具有与所述光电二极管通信的第一节点和与所述输入端子通信的第二节点；开关设备，具有：第一触点，所述第一触点与所述第一节点通信；第二触点，所述第二触点与所述第二节点通信；以及控制触点，所述控制触点与可变控制电压通信，以在低增益条件下改变在所述输入端子处的有效电感并且减少在跨阻放大器输出端子处的峰值。

其中，所述开关设备包括SiGe bi-CMOS场效应晶体管；所述第一触点包括所述bi-CMOS场效应晶体管的漏极；所述第二触点包括所述 bi-CMOS场效应晶体管的源极；以及所述控制触点包括通过电阻器与所述可变电压源通信的所述bi-CMOS场效应晶体管的栅极。

其中，所述开关设备包括场效应晶体管；所述第一触点包括所述场效应晶体管的漏极；所述第二触点包括所述场效应晶体管的源极；以及所述控制触点包括与可变电压源通信的所述场效应晶体管的栅极。

其中，所述场效应晶体管包括MOSFET。

其中，所述MOSFET包括p-通道MOSFET。

其中，所述MOSFET包括n-通道MOSFET。

其中，所述场效应晶体管包括JFET。

其中，所述开关设备包括具有可移动元件的微电机械系统。

其中，所述跨阻放大器被配置为以约18dB的动态范围进行操作。

本实用新型提供了一种跨阻放大器，其特征在于，包括：输入端子；可变电感部件，所述可变电感部件在所述输入端子与光电二极管之间，所述可变电感部件包括：电感器，所述电感器具有与所述光电二极管通信的第一节点和与所述输入端子通信的第二节点；开关设备，具有：第一触点，所述第一触点与所述第一节点通信；第二触点，所述第二触点与所述第二节点通信；以及控制触点，所述控制触点与可变控制电压通信，以在低增益条件下改变所述输入端子处的有效电感并且减少在输出端子处的峰值。

其中，所述开关设备包括SiGe bi-CMOS场效应晶体管；所述第一触点包括所述bi-CMOS场效应晶体管的漏极；所述第二触点包括所述 bi-CMOS场效应晶体管的源极；以及所述控制触点包括通过电阻器与可变电压源通信的所述bi-CMOS场效应晶体管的栅极。