[实用新型]环形防护罩的变形修复装置有效
申请号: | 201720790169.0 | 申请日: | 2017-07-03 |
公开(公告)号: | CN207074649U | 公开(公告)日: | 2018-03-06 |
发明(设计)人: | 孙璐;蔚接锁;邱忠民 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 上海立群专利代理事务所(普通合伙)31291 | 代理人: | 侯莉,毛立群 |
地址: | 300385*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 环形 防护罩 变形 修复 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及半导体技术领域,尤其涉及一种环形防护罩的变形修复装置。
背景技术
如图1所示,现有一种物理气相沉积(Physical Vapor Deposition,简称PVD)设备包括静电吸盘(ESC)1和环形防护罩2,其中,静电吸盘1用于承载晶圆3,环形防护罩2套在静电吸盘1之外,用于保护静电吸盘1。例如,环形防护罩2可以防止物理气相沉积过程中薄膜沉积在静电吸盘1上。
环形防护罩需要定期拆装以进行清洗,在拆装过程、运输过程、清洗过程中,环形防护罩常常因磕碰而发生变形。具体地,结合图2来说明该变形的类型,图2为环形防护罩在对应变形部位的横截面,图中虚线表示环形防护罩2的变形部位,单点划线表示变形之前的环形防护罩2的变形部位,即,由图中可知,上述变形具体为:环形防护罩2在局部位置沿径向向内的方向内凹。为简洁起见,下文统一将环形防护罩的该变形简称为内凹变形。
继续参考图1,当环形防护罩2发生内凹变形时,在进行物理气相沉积时,薄膜会不均匀地覆盖在环形防护罩2的端部,并形成尖端,该尖端会致使电弧放电,从而导致晶圆3报废。为了避免该问题的发生,需要检测环形防护罩2是否发生内凹变形,并修复环形防护罩2的内凹变形。
现有技术直接通过目检的方式来检测环形防护罩是否发生内凹变形。若发现环形防护罩发生内凹变形,则再利用厚薄规来检测环形防护罩的变形量。然而,该目检的方式经常存在人为误判的可能,导致环形防护罩常被不恰当的判断为变形或未变形。另外,环形防护罩的变形位置无法精确定位。
检测环形防护罩的变形量之后,若发现变形量未超标,则对环形防护罩的内凹变形进行修复。现有修复方式为,修复人员利用钣金作业修正环形防护罩的变形部位,并凭借经验大致判断修复是否到位,使得环形防护罩的修复精度较差。
实用新型内容
本实用新型要解决的问题之一是:现有物理气相沉积设备中的环形防护罩的变形修复精度低。
本实用新型要解决的另一问题是:现有物理气相沉积设备中的环形防护罩的变形判断方法精度低,也无法精确定位变形位置。
为了解决上述问题,本实用新型的一个实施例提供了一种环形防护罩的变形修复装置,所述环形防护罩用于套在物理气相沉积设备的用于承载晶圆的静电吸盘上,所述变形修复装置包括:支撑盘,设有边缘缺口,所述边缘缺口至少贯穿所述支撑盘的轴向一端;修复机构,安装在所述支撑盘上,并能相对所述支撑盘沿径向移动,使得所述修复机构的径向外端能位于所述边缘缺口内,所述径向外端的侧面与所述支撑盘的侧面具有相同曲率半径,所述径向外端的侧面在所述径向上背向修复机构的径向内端。
可选地,所述支撑盘还设有:容纳腔和设有通孔的隔绝部,所述隔绝部在所述径向上将所述容纳腔与边缘缺口隔开,所述容纳腔至少贯穿所述支撑盘的轴向一端;
所述修复机构包括:穿过所述通孔的杆,所述杆的轴向一端位于所述容纳腔内,轴向另一端位于所述边缘缺口内;与所述杆的所述轴向另一端连接的修正块,在所述杆的带动下沿所述径向移动,所述修正块位于所述径向外端,所述修复机构的侧面设置在修正块上。
可选地,所述杆为光杆,所述通孔为光孔。
可选地,所述杆为螺杆,所述通孔为与所述螺杆螺纹配合的螺纹孔;
所述支撑盘还设有沿轴向间隔设置的第一限制部和第二限制部,所述第一限制部、第二限制部均在所述径向上位于所述隔绝部与边缘缺口之间;
所述修正块与所述杆可转动连接,且至少有径向内端能在所述第一限制部和第二限制部之间的间隔内沿所述径向移动。
可选地,所述修复机构还包括:位于所述容纳腔内的手动操作钮,套在所述杆的轴向一端。
可选地,所述修正块包括弓形块,所述修复机构的侧面设置在所述弓形块上。
可选地,所述容纳腔、边缘缺口至少其中之一沿所述轴向贯通所述支撑盘。
可选地,所述支撑盘至少有其中一个端面在外缘设有若干同心刻度环。
可选地,所述支撑盘的侧面设有沿轴向依次设置的若干刻度线。
可选地,还包括:自所述支撑盘的端面突出的手持部。
可选地,还包括:用于套设在所述支撑盘上的橡胶圈。
可选地,所述变形修复装置为铝镁钛合金装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造