[实用新型]一种双面发电的带本征薄层异质结电池有效
申请号: | 201720831713.1 | 申请日: | 2017-07-07 |
公开(公告)号: | CN207409506U | 公开(公告)日: | 2018-05-25 |
发明(设计)人: | 李平;洪承健;张津燕;徐希翔;李沅民 | 申请(专利权)人: | 君泰创新(北京)科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/075 | 分类号: | H01L31/075;H01L31/0352;H01L31/0224 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 林桐苒;李丹 |
地址: | 100176 北京市大兴区经济*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 银栅线电极 多层透明导电薄膜 本征非晶硅层 透明导电薄膜 异质结电池 双面发电 薄层 本征 背面 透明导电氧化物 电流收集能力 本实用新型 低温银浆 依次层叠 由上到下 透光率 替代 栅线 遮挡 电池 | ||
1.一种双面发电的带本征薄层异质结电池,其特征在于,包括:
由上到下依次层叠的正面银栅线电极(1)、正面TCO层(2)、N型非晶硅层(3)、第一本征非晶硅层(41)、N型或P型单晶硅片(5)、第二本征非晶硅层(42)、P型非晶硅层(6)、第一反面TCO层(81)、银透明导电薄膜(7)和第二反面TCO层(82)。
2.根据权利要求1所述的双面发电的带本征薄层异质结电池,其特征在于,所述正面TCO层(2)为ITO层。
3.根据权利要求1所述的双面发电的带本征薄层异质结电池,其特征在于,所述第一反面TCO层(81)或所述第二反面TCO层(82)为以下任意一种:
铝掺杂氧化锌AZO层、ITO层、掺氟的氧化锡FTO层。
4.根据权利要求1所述的双面发电的带本征薄层异质结电池,其特征在于,所述正面TCO层(2)的厚度为5~80纳米。
5.根据权利要求1所述的双面发电的带本征薄层异质结电池,其特征在于,所述N型非晶硅层(3)的厚度为1~20nm。
6.根据权利要求1所述的双面发电的带本征薄层异质结电池,其特征在于,所述第一本征非晶硅层(41)或所述第二本征非晶硅层(42)的厚度为1~20nm。
7.根据权利要求1所述的双面发电的带本征薄层异质结电池,其特征在于,所述N型或P型单晶硅片(5)的厚度为70~300微米。
8.根据权利要求1所述的双面发电的带本征薄层异质结电池,其特征在于,所述P型非晶硅层(6)的厚度为1~20nm。
9.根据权利要求1所述的双面发电的带本征薄层异质结电池,其特征在于,所述第一反面TCO层(81)或所述第二反面TCO层(82)的厚度为1~80nm。
10.根据权利要求1所述的双面发电的带本征薄层异质结电池,其特征在于,所述银透明导电薄膜(7)的厚度为1~20nm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的