[实用新型]一种双面发电的带本征薄层异质结电池

说明书

一种双面发电的带本征薄层异质结电池，包括：由上到下依次层叠的正面银栅线电极(1)、正面透明导电氧化物TCO层(2)、N型非晶硅层(3)、第一本征非晶硅层(41)、N型或P型单晶硅片(5)、第二本征非晶硅层(42)、P型非晶硅层(6)、第一反面TCO层(81)、银透明导电薄膜(7)和第二反面TCO层(82)。通过本实用新型实施例的方案，采用第一反面TCO层(81)、银透明导电薄膜(7)和第二反面TCO层(82)组成的TCO‑Ag‑TCO多层透明导电薄膜来替代反面TCO层和反面银栅线电极，减少了低温银浆的用量，降低了成本，采用TCO‑Ag‑TCO多层透明导电薄膜来替代反面TCO层和反面银栅线电极，由于背面没有栅线的遮挡，从而提高了HIT电池的背面透光率和电流收集能力。

技术领域

本文涉及但不限于硅基太阳能电池领域，尤指一种双面发电的带本征薄层异质结电池。

背景技术

光伏发电是一种公认的清洁能源，近年光伏发电得到国家政策的大力扶持。尤其是在高效太阳能电池领域，硅基高效带本征薄层异质结(HIT或HJT， Heterojunction withIntrinsic Thin-layer)电池因其具有光电转换效率高、温度系数低、无光衰、弱光性好等优势，受到国内外的高度重视，且双面发电的HIT电池在实际应用中可以高出普通光伏电池(如晶硅电池)12％-30％的发电量，是降低度电成本的核心技术之一。

目前主流的双面发电的HIT电池，采用预制有金字塔绒面的单晶硅片为核心，分别在单晶硅片的正面和反面沉积本征非晶硅钝化层，在正面本征非晶硅钝化层沉积N型非晶硅层，在反面本征非晶硅钝化层沉积P型非晶硅层，之后在N型非晶硅层上制备正面透明导电氧化物(TCO，Transparent Conductive Oxide)层，在P型非晶硅层上制备反面TCO层，最后在正面TCO 层上印刷正面银栅线电极，在反面TCO层上印制反面银栅线电极。

上述双目面发电的HIT电池中，由于TCO层的铟锡氧化物(ITO，Indium Tin Oxide)和银栅线电极的低温银浆用量都较大(银栅线电极需要通过将银单质的浆料经过丝网印制而成，且银栅线电极的厚度一般为微米级，导致银浆消耗较多)，导致HIT成本较高，且反面银栅线电极遮挡太阳能吸收的面积，使得HIT电池的背面透光率和电流收集能力较差。

实用新型内容

本实用新型实施例提出了一种双面发电的带本征薄层异质结电池，能够减少ITO和低温银浆的用量，从而提高HIT电池的背面透光率和电流收集能力，且降低成本。

本实用新型实施例提出了一种双面发电的带本征薄层异质结电池，包括：

由上到下依次层叠的正面银栅线电极1、正面透明导电氧化物TCO层2、 N型非晶硅层3、第一本征非晶硅层41、N型或P型单晶硅片5、第二本征非晶硅层42、P型非晶硅层6、第一反面TCO层81、银透明导电薄膜7和第二反面TCO层82。

可选的，所述正面TCO层2为铟锡氧化物ITO层。

可选的，所述第一反面TCO层81或所述第二反面TCO层82为以下任意一种：

铝掺杂氧化锌AZO层、ITO层、掺氟的氧化锡FTO层。

可选的，所述正面TCO层2的厚度为5～80纳米nm。

可选的，所述N型非晶硅层3的厚度为1～20nm。

可选的，所述第一本征非晶硅层41或所述第二本征非晶硅层42的厚度为1～20nm。

可选的，所述N型或P型单晶硅片5的厚度为70～300微米μm。

可选的，所述P型非晶硅层6的厚度为1～20nm。

可选的，所述第一反面TCO层81或所述第二反面TCO层82的厚度为 1～80nm。