[实用新型]一种硅栅MOS集成电路ESD保护电路结构

权利要求书

1.一种硅栅MOS集成电路ESD保护电路结构，其特征在于，包括NMOS管，内部电路，端口以及N型有源区注入电阻，所述NMOS管分别与所述内部电路以及所述端口连接，所述NMOS管上设置有所述N型有源区注入电阻，所述N型有源区注入电阻分别与所述内部电路以及所述端口连接，所述内部电路与所述端口相连接。

2.根据权利要求1所述的硅栅MOS集成电路ESD保护电路结构，其特征在于，所述NMOS管的栅极通过接地电阻接地。

3.根据权利要求1所述的硅栅MOS集成电路ESD保护电路结构，其特征在于，所述NMOS管的栅极直接接地。

4.根据权利要求1所述的硅栅MOS集成电路ESD保护电路结构，其特征在于，还包括有源区电阻，且所述内部电路通过所述有源区电阻分别与所述端口以及所述N型有源区注入电阻相连接。

5.根据权利要求1所述的硅栅MOS集成电路ESD保护电路结构，其特征在于，还包括多晶电阻，且所述内部电路通过所述多晶电阻分别与所述端口以及所述N型有源区注入电阻相连接。