[实用新型]一种硅栅MOS集成电路ESD保护电路结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及集成电路结构技术领域，具体的说是涉及一种硅栅MOS集成电路ESD保护电路结构。

背景技术

传统的硅栅MOS集成电路的ESD保护，有很多结构简单的电路，其中以栅极直接接地或者栅极通过电阻接地的为典型代表，这种电路很难保证端口先经过NMOS管（其起作用的主要为寄生的NPN三极管）释放静电，再经过电阻释放静电，这容易烧毁电阻，或者对电阻要求比较高，到达芯片内部的静电电压及能量也比较高，有单级保护效果不佳，二级保护面积偏大的缺点。

上述缺陷，值得解决。

实用新型内容

为了克服现有的技术的不足, 本实用新型提供一种硅栅MOS集成电路ESD保护电路结构。

本实用新型技术方案如下所述：

一种硅栅MOS集成电路ESD保护电路结构，其特征在于，包括NMOS管，内部电路，端口以及N型有源区注入电阻，所述NMOS管分别与所述内部电路以及所述端口连接，所述NMOS管上设置有所述N型有源区注入电阻，所述N型有源区注入电阻分别与所述内部电路以及所述端口连接，所述内部电路与所述端口相连接。

进一步的，所述NMOS管的栅极通过接地电阻接地。

进一步的，所述NMOS管的栅极直接接地。

进一步的，还包括有源区电阻，且所述内部电路通过所述有源区电阻分别与所述端口以及所述N型有源区注入电阻相连接。

进一步的，还包括多晶电阻，且所述内部电路通过所述多晶电阻分别与所述端口以及所述N型有源区注入电阻相连接。

根据上述方案的本实用新型，其有益效果在于，本实用新型通过在NMOS上设置N型有源区注入电阻，既减小了集成电路版图的面积，又保证了大部分的静电先通过NMOS管进行了放电，再通过N型有源区注入电阻连接到内部电路，静电释放效果好，利于保护电路，成本低。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为本实用新型的具体实施例图一；

图3为本实用新型的具体实施例图二；

图4为本实用新型的具体实施例图三。

寄生N+有源区电阻为N型有源区注入电阻。

具体实施方式

下面结合附图以及实施方式对本实用新型进行进一步的描述：

如图1所示，一种硅栅MOS集成电路ESD保护电路结构，包括NMOS管，内部电路，端口以及N型有源区注入电阻，所述NMOS管分别与所述内部电路以及所述端口连接，所述NMOS管上设置有所述N型有源区注入电阻，所述N型有源区注入电阻分别与所述内部电路以及所述端口连接，所述内部电路与所述端口相连接。

所述NMOS管的栅极通过接地电阻接地或者直接接地，所述内部电路通过有源区电阻或者多晶电阻分别与所述端口以及所述N型有源区注入电阻相连接。

本实用新型工作原理：当端口遭遇静电时，先通过一个多叉指状的NMOS管进行放电，然后经过N型有源区注入电阻直接或者再经过多晶电阻或者有源区电阻连接到内部电路。因为有N型有源区注入电阻存在，N型有源区注入电阻有限流和限压的作用，大部分的静电先通过多叉指状的NMOS管进行了放电，N型有源区注入电阻后面的连线上的静电电压与电流比端口上的静电电压与电流小了很多，从而给连接内部电路降低了抗本静电电压与电流方面的要求。

本实用新型具体实施例：

如图2、图3、图4所示，取多叉指状的NMOS管中共漏极（漏极接端口）二个NMOS管，沿着金属层，在远离端口的位置利用寄生在NMOS中的N+N型有源区注入电阻，以保证大部分的静电先通过多叉指状的NMOS管进行了放电再通过NMOS中寄生的N型有源区注入电阻直接或者再经过多晶电阻或者有源区电阻连接到内部电路。

本实用新型通过在NMOS管上设置N型有源区注入电阻，既减小了集成电路版图的面积，又保证了大部分的静电先通过NMOS管进行了放电，再通过N型有源区注入电阻连接到内部电路，静电释放效果好，利于保护电路，成本低。

应当理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，而所有这些改进和变换都应属于本实用新型所附权利要求的保护范围。

上面结合附图对本实用新型专利进行了示例性的描述，显然本实用新型专利的实现并不受上述方式的限制，只要采用了本实用新型专利的方法构思和技术方案进行的各种改进，或未经改进将本实用新型专利的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本实用新型的保护范围内。