[实用新型]一种无损伤硅片吸盘有效
申请号: | 201720868252.5 | 申请日: | 2017-07-18 |
公开(公告)号: | CN207116405U | 公开(公告)日: | 2018-03-16 |
发明(设计)人: | 张学强;戴军;张建伟;贾宇鹏 | 申请(专利权)人: | 罗博特科智能科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L31/18 |
代理公司: | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙)11369 | 代理人: | 韩飞 |
地址: | 215000 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 损伤 硅片 吸盘 | ||
1.一种无损伤硅片吸盘(11),其特征在于,包括:
与硅片相接触的吸取部(112);以及
与吸取部(112)一体成型的根部(111),
其中,吸取部(112)与硅片相接触面上开设有至少两个吸嘴(1121),无损伤硅片吸盘(11)的内部开设有通往根部(111)并连通外界的气路(113),气路(113)与吸嘴(1121)相连通。
2.如权利要求1所述的无损伤硅片吸盘(11),其特征在于,根部(111)上开设有贯穿其主体的安装孔(1111),该安装孔(1111)与气路(113)不连通。
3.如权利要求1所述的无损伤硅片吸盘(11),其特征在于,根部(111)的厚度大于吸取部(112)的厚度,吸取部(112)关于根部(111)偏置设置使得吸嘴(1121)旁侧有足够容纳硅片的空间。
4.如权利要求1所述的无损伤硅片吸盘(11),其特征在于,气路(113)在无损伤硅片吸盘(11)内部的延伸方向与无损伤硅片吸盘(11)的长度方向相一致。
5.如权利要求4所述的无损伤硅片吸盘(11),其特征在于,气路(113)的出口设于根部(111)的端部,且气路(113)的出口处设有沿无损伤硅片吸盘(11)的长度伸展方向凸起的气管安装部(1112)。
6.如权利要求1所述的无损伤硅片吸盘(11),其特征在于,吸取部(112)的端部设有导引头(1122),该导引头(1122)呈沿无损伤硅片吸盘(11)的长度伸展方向厚度逐渐变薄的楔形结构。
7.如权利要求6所述的无损伤硅片吸盘(11),其特征在于,导引头(1122)的导引角α大小为5°~15°。
8.如权利要求7所述的无损伤硅片吸盘(11),其特征在于,导引头(1122)的两侧窄边处设有左导引斜面(1122a)与右导引斜面(1122b),左导引斜面(1122a)与无损伤硅片吸盘(11)的长度方向夹角β大小为25°~45°,右导引斜面(1122b)与无损伤硅片吸盘(11)的长度方向夹角θ大小为25°~45°。
9.如权利要求3所述的无损伤硅片吸盘(11),其特征在于,根部(111)的厚度为3.5~5.0mm,吸取部(112)的厚度为2.0~2.8mm。
10.如权利要求1~9任一项所述的无损伤硅片吸盘(11),其特征在于,该无损伤硅片吸盘(11)由陶瓷材料制成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造