[实用新型]一种无损伤硅片吸盘

说明书

技术领域

本实用新型涉及真空取放技术领域，特别涉及一种无损伤硅片吸盘。

背景技术

在太阳能硅片工艺处理步骤中，需要先进行插片步骤，即将多片硅片相互间隔地放置在石墨支架上，然后进行工艺处理，再将工艺处理完后的硅片从支架内取出(取片步骤)以备后续的工艺操作。在现有技术中，仍采用由人工操作真空吸笔来完成硅片的插片和取片工作，由于硅片间距为毫米级，硅片材质较脆且厚度很薄，采用传统工艺容易导致工作效率低、碎片率高、硅片表面容易擦伤或污染等缺点，有鉴于此，实有必要开发一种无损伤硅片吸盘，用以解决上述问题。

实用新型内容

针对现有技术中存在的不足之处，本实用新型的目的是提供一种无损伤硅片吸盘，其在提高工作效率的同时，还能够避免硅片表面的划伤及污染，同时还能降低碎片率，降低生产成本。

为了实现根据本实用新型的上述目的和其他优点，提供了一种无损伤硅片吸盘，包括：

与硅片相接触的吸取部；以及

与吸取部一体成型的根部，

其中，吸取部与硅片相接触面上开设有至少两个吸嘴，无损伤硅片吸盘的内部开设有通往根部并连通外界的气路，气路与吸嘴相连通。

优选的是，根部上开设有贯穿其主体的安装孔，该安装孔与气路不连通。

优选的是，根部的厚度大于吸取部的厚度，吸取部关于根部偏置设置使得吸嘴旁侧有足够容纳硅片的空间。

优选的是，气路在无损伤硅片吸盘内部的延伸方向与无损伤硅片吸盘的长度方向相一致。

优选的是，气路的出口设于根部的端部，且气路的出口处设有沿无损伤硅片吸盘的长度伸展方向凸起的气管安装部。

优选的是，吸取部的端部设有导引头，该导引头呈沿无损伤硅片吸盘的长度伸展方向厚度逐渐变薄的楔形结构。

优选的是，导引头的导引角α大小为5°～15°。

优选的是，导引头的两侧窄边处设有左导引斜面与右导引斜面，左导引斜面与无损伤硅片吸盘的长度方向夹角β大小为25°～45°，右导引斜面与无损伤硅片吸盘的长度方向夹角θ大小为25°～45°。

优选的是，根部的厚度为3.5～5.0mm，吸取部的厚度为2.0～2.8mm。

优选的是，该无损伤硅片吸盘由陶瓷材料制成。

本实用新型与现有技术相比，其有益效果是：

1、避免了人工与硅片接触，提高了工作效率的同时防止了在工艺处理过程中对硅片表面造成污染；

2、由于吸取部的端部设有导引头，该导引头呈沿无损伤硅片吸盘的长度伸展方向厚度逐渐变薄的楔形结构，从而使得该吸盘在逐渐深入到硅片中时，能够避免硅片表面的划伤，同时能够防止硅片受到压迫而破碎；

3、由于气路的出口处设有沿无损伤硅片吸盘的长度伸展方向凸起的气管安装部，从而便于气管与无损伤硅片吸盘的对接。

附图说明

图1为根据本实用新型所述的无损伤硅片吸盘的立体图；

图2为根据本实用新型所述的无损伤硅片吸盘的主视图；

图3为根据本实用新型所述的无损伤硅片吸盘的右视图；

图4为图2中沿A-A方向的剖视图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型做进一步的详细说明，本实用新型的前述和其它目的、特征、方面和优点将变得更加明显，以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施。在附图中，为清晰起见，可对形状和尺寸进行放大，并将在所有图中使用相同的附图标记来指示相同或相似的部件。在说明书中，诸如“前部”、“后部”、“上部”、“下部”、“顶部”和“底部”及其衍生词的相对术语应当被解释为是指如然后所述的或如在被讨论的附图中所示出的取向。这些相对术语是为了说明方便起见并且通常并不旨在需要具体取向。涉及附接、联接等的术语(例如，“连接”和“附接”)是指这些结构通过中间结构彼此直接或间接固定或附接的关系、以及可动或刚性附接或关系，除非以其他方式明确地说明。

参照图1及图2，无损伤硅片吸盘11包括：根部111及吸取部112，其中，吸取部112与硅片相接触，根部111与吸取部112一体成型，吸取部112与硅片相接触面上开设有至少两个吸嘴1121，该无损伤硅片吸盘11的内部开设有通往根部111并连通外界的气路113，气路113与吸嘴1121相连通。参照图3及图4，在优选的实施方式中，吸嘴1121设有三个，且三个吸嘴1121非共线布置，气路113上连通地设有分别通往三个吸嘴1121的第一支路1131、第二支路1132及第三支路1133。