[实用新型]一种管式PECVD结构有效
申请号: | 201720882670.X | 申请日: | 2017-07-20 |
公开(公告)号: | CN207512258U | 公开(公告)日: | 2018-06-19 |
发明(设计)人: | 谢明会;赵洪俊;平国庆;何为晋 | 申请(专利权)人: | 奥特斯维能源(太仓)有限公司;太仓海润太阳能有限公司 |
主分类号: | C23C16/54 | 分类号: | C23C16/54;C23C16/44;H01L31/18 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬 |
地址: | 215434 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 炉管 连接管 活塞组件 气体压强 本实用新型 连接阀体 推动活塞 向上运动 单向阀 阀体 管式 种管 太阳能电池技术 真空泵抽气 气体回流 真空泵 抽离 隔开 连通 | ||
本实用新型涉及太阳能电池技术领域,公开了一种管式PECVD结构,包括单向阀,单向阀包括阀体和活塞组件,阀体的一端口与管式PECVD的炉管相连通,另一端口与连接有真空泵的连接管相连通,炉管的连接阀体的端口位于活塞组件的底部、连接管的连接阀体的端口位于活塞组件的侧部,以使活塞组件将炉管和连接管隔开;当炉管中的气体压强大于连接管中的气体压强时,炉管中的气体能够推动活塞组件向上运动,以使炉管和连接管连通,气体由炉管流入连接管内。本实用新型提出的管式PECVD结构,当炉管中的气体压强大于连接管中的气体压强时,炉管中的气体能够推动活塞组件向上运动,使炉管内气体只能沿着真空泵抽气方向抽离,不会出现连接管内气体回流的情况。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池技术领域,尤其涉及一种管式PECVD结构。
背景技术
太阳能是一种绿色环保的新能源,利用太阳光发电的太阳能电池是对太阳能利用的最普遍的一种方式,制备氮化硅减反射膜是制造高效率太阳能的重要环节。氮化硅膜通常采用PECVD技术生成。PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)又称等离子体增强化学气相沉积法,技术原理是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子化学活性很强,很容易发生反应,在硅片上沉积出所期望的薄膜。
PECVD目前有板式和管式两种,而管式PECVD以低温生膜、成膜速度快且较为均匀等诸多优势而被广泛使用。在管式PECVD在运行时,会有因为真空泵停转而导致真空泵腔内及连接管中氮化硅粉尘回灌进炉管的现象,给生产带来额外的负担。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提出一种管式PECVD结构,解决了现有管式PECVD 在运行时,真空泵停转而导致真空泵腔内及连接管中氮化硅粉尘倒流进炉管的问题。
为达此目的,本实用新型采用以下技术方案:
一种管式PECVD结构,包括单向阀,所述单向阀包括阀体和设置于所述阀体内的活塞组件,所述阀体的一端口与所述管式PECVD结构的炉管相连通,另一端口与连接有真空泵的连接管相连通,
所述炉管的连接所述阀体的端口位于所述活塞组件的底部、所述连接管的连接所述阀体的端口位于所述活塞组件的侧部,以使所述活塞组件将所述炉管和所述连接管隔开;
当所述炉管中的气体压强大于所述连接管中的气体压强时,所述炉管中的气体能够推动所述活塞组件向上运动,以使所述炉管和所述连接管连通,气体由所述炉管流入所述连接管内。
该管式PECVD结构通过在炉管和连接管之间连接单向阀,阀体的一端口与管式PECVD结构的炉管相连通,另一端口与连接有真空泵的连接管相连通,当炉管中的气体压强大于连接管中的气体压强时,炉管中的气体能够推动所述活塞组件向上运动,以使所述炉管和所述连接管连通,使炉管内气体只能沿着真空泵抽气方向抽离,而不会反向倒流,在真空泵因为某种原因停转时就不会导致炉管内气体回流而导致氮化硅粉尘污染的情况出现,有效地降低了生产成本,节省了人力物力。
作为上述管式PECVD结构的一种优选方案,所述阀体的顶部和所述活塞组件之间设置弹性件。弹性件的设置能够对活塞组件的移动起缓冲作用。
作为上述管式PECVD结构的一种优选方案,所述活塞组件包括套筒和置于套筒内且相对于套筒可上下移动的活塞,所述套筒固定于所述阀体内侧的顶部,所述弹性件一端穿过所述套筒与所述阀体连接,另一端与所述活塞连接。套筒的设置对活塞起导向作用。
作为上述管式PECVD结构的一种优选方案,所述活塞包括相互连接的活塞杆和活塞头,所述活塞杆穿设在所述套筒内并能相对于所述套筒上下移动,所述活塞头位于所述套筒的外部,所述活塞头的直径等于位于所述活塞组件的底部的所述阀体的端口的直径。如此设置使得当气体反向倒流时,气体带动活塞向下移动,防止气体从连接管内流入炉管内。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的