[实用新型]一种简易晶体薄膜生长装置

说明书

本实用新型涉及一种简易晶体薄膜生长装置。本实用新型所述简易晶体薄膜生长装置，包括绝热底座、平板加热台、精细螺纹擎台杆、生长台和温控仪。所述平板加热台设置在所述绝热底座上，所述精细螺纹擎台杆竖直设置绝热底座上并与所述平板加热台相邻，所述生长台设置在所述平板加热台的上方，所述生长台的高度可调节，所述温控仪与所述平板加热台电性连接。所述的简易晶体薄膜生长装置，可精确控制晶体薄膜生长的距离，减少空气分子对蒸发或升华的材料分子的影响，无需在真空条件或纯气体环境下进行晶体薄膜的生长，并可通过温控仪调节升降温程序及生长温度。特别适用于随温度降低可实现固‑气‑液‑固三态转变的材料的生长，装置简单、成本低。

技术领域

本实用新型涉及一种简易晶体薄膜生长装置。

背景技术

利用材料加热蒸发或升华进行晶体薄膜制备的方式简单直接，成膜性好，在实验室中已经得到广泛应用，特别是在有机半导体单晶薄膜领域。目前，利用材料加热蒸发或升华的方式进行晶体薄膜制备的装置主要是真空蒸镀仪，其是在真空条件下，加热蒸发容器中待蒸发的材料，使材料原子或分子从表面气化逸出，形成蒸汽流，入射到衬底或基底表面，凝结成固态薄膜的装置。真空蒸镀仪多用于金属或有机材料的多晶薄膜的蒸镀。目前的真空蒸镀仪对温度及材料的适用范围较为有限，蒸镀距离难以准确控制，而且需要在真空环境下进行生长，设备成本较高，设备占据空间大，不易放置和运输，限制了其适用的范围和使用的广泛性。

实用新型内容

基于此，本实用新型的目的在于，提供一种简易晶体薄膜生长装置，所述的简易晶体薄膜生长装置，无需在真空条件或纯气体环境下进行晶体薄膜的生长，适用于随温度降低可实现固-气-液-固三态转变的材料的生长，装置简单、成本低。

一种简易晶体薄膜生长装置，包括绝热底座、平板加热台、精细螺纹擎台杆、生长台和温控仪，所述平板加热台设置在所述绝热底座上，所述精细螺纹擎台杆竖直设置绝热底座上并与所述平板加热台相邻，所述生长台设置在所述平板加热台的上方，所述生长台与平板加热台的距离可调节，所述温控仪与所述平板加热台电性连接。

本实用新型所述简易晶体薄膜生长装置，通过调节生长台和平板加热台之间的距离，使得生长台与平板加热台的距离达到毫米或微米尺寸，从而减少空气分子对蒸发或升华的材料分子的影响，无需在真空条件或纯气体环境下进行晶体薄膜的生长，并可通过温控仪调节升降温程序及生长温度，适用于随温度降低可实现固-气-液-固三态转变的材料的生长，特别是小分子有机半导体单晶薄膜的生长，如并五苯、红荧烯、三苯基胺材料的生长，装置结构简单、占用空间小、成本低。

进一步地，还包括固定套环和固定螺母，所述生长台通过固定套环与所述精细螺纹擎台杆连接，所述固定螺母设置在所述精细螺纹擎台杆上，以固定生长台的位置。通过调节固定套环和固定螺母，对生长台的高度进行精确调节并生长台的位置进行固定，使生长台与所述平板加热台的距离达到亚微观量级，以减少空气分子对蒸发或升华的材料分子的影响。

进一步地，与所述平板加热台相对的生长台的一面设置有一生长孔和衬底固定夹，所述衬底固定夹设置在生长孔的周边，以夹持和固定生长衬底。便于将生长衬底放置在生长孔中并将生长衬底固定在生长台上，以精确控制生长衬底与平板加热台之间的距离。

进一步地，包括保温绝热台，所述保温绝热台设置在绝热底座上，所述保温绝热台上设置有一凹槽，所述平板加热台相嵌在该凹槽中且所述平板加热台的上表面高度低于所述保温绝热台的高度。所述保温绝热台将平板加热台环绕包围，有效防止平板加热台的热量损耗，保护平板加热台和操作者安全；平板加热台的上表面高度低于保温绝热台的高度，可方便将生长的材料放置到平板加热台上并压平，保证生长的材料上端与保温绝热台的高度一致，从而使得升华或蒸发的距离精确，保证生长的晶体薄膜的质量。

进一步地，所述平板加热台的上表面与所述保温绝热台的高度差为0.5～1.5mm。

进一步地，所述平板加热台的上表面与所述保温绝热台的高度差为1.0mm。