[实用新型]一种黑硅沉积金属离子槽的冷却控温结构有效
| 申请号： | 201720896762.3 | 申请日： | 2017-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN207009413U | 公开（公告）日： | 2018-02-13 |
| 发明（设计）人： | 黄明;魏秀平 | 申请（专利权）人： | 江西展宇新能源股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南昌恒桥知识产权代理事务所(普通合伙)36125 | 代理人： | 杨志宇 |
| 地址： | 334000 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 沉积 金属 离子 冷却 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种黑硅沉积金属离子槽的冷却控温结构，包括：沉积金属离子槽（1）、内循环泵（2）、热交换器（3）、外围厂务冷却水进出端口（4）、气动阀（5）、透明观察窗（6）、热成像仪（7）、控制器（8）、指示灯（9）；其特征在于：沉积金属离子槽（1）的侧面内槽通过一根导管与热交换器（3）的热媒进口相连通，上述的导管上安装有内循环泵（2）；所述的沉积金属离子槽（1）的底部内槽通过一根导管与热交换器（3）的热媒出口相连通；热交换器（3）的冷媒进口通过一根导管与外围厂务冷却水进出端口（4）相连通，上述的导管上安装有气动阀（5）；所述的沉积金属离子槽（1）的侧面外壁上开设有一个透明观察窗（6）；所述的透明观察窗（6）的左侧外壁上固定的安装有热成像仪（7）。
2.根据权利要求1所述的一种黑硅沉积金属离子槽的冷却控温结构，其特征在于：所述的沉积金属离子槽（1）的侧面上还固定的安装有控制器（8）、指示灯（9）；所述的热成像仪（7）、指示灯（9）分别与控制器（8）相连。
3.根据权利要求1所述的一种黑硅沉积金属离子槽的冷却控温结构，其特征在于：沉积金属离子槽（1）的外壁上安装有均匀分布的温差发电片，上述的温差发电片通过导线与一个蓄电装置相连。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
