[实用新型]一种黑硅沉积金属离子槽的冷却控温结构有效
申请号: | 201720896762.3 | 申请日: | 2017-07-24 |
公开(公告)号: | CN207009413U | 公开(公告)日: | 2018-02-13 |
发明(设计)人: | 黄明;魏秀平 | 申请(专利权)人: | 江西展宇新能源股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/18 |
代理公司: | 南昌恒桥知识产权代理事务所(普通合伙)36125 | 代理人: | 杨志宇 |
地址: | 334000 江西省*** | 国省代码: | 江西;36 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 沉积 金属 离子 冷却 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种冷却控温结构,具体涉及一种黑硅沉积金属离子槽的冷却控温结构。
背景技术
近年来,太阳能电池片生产技术不断进步,生产成本不断降低,转换效率不断提高,使得光伏发电的应用日益普及并迅猛发展,逐渐成为电力供应的重要来源。
太阳能电池片的生产工艺主要包括:制绒、扩散、刻蚀、镀膜、印刷和烧结等,其中制绒工序延伸出金刚线切割+黑硅制绒工艺,进一步降低生产成本,黑硅电池片指电池片外观是黑色或近于黑色的电池,其独特的微观纳米结构使其具备卓越的减反射性能。关于黑硅的制备,目前有多种方法可以实现,主要包括:反应离子刻蚀(RIE)、金属诱导湿法黑硅(MCCE)、激光加工(LP)、化学气相沉积(CVD)和等离子体浸没离子注入(PIII);湿法黑硅技术利用硝酸银中Ag/Ag+系统能量远低于硅的价带,使Ag+得到硅的价带电子,利用H2O2/HF腐蚀过程在Ag周围加速与硅反应,使得腐蚀系统能在硅片表面腐蚀出纳米级绒面,MCCE金属(Ag)诱导湿法黑硅:沉积银颗粒在硅片表面,金属粒子与硅接触的地方分别形成了电池的正负极,和周围的溶液形成一个完整的电流回路,反应过程中,H2O2优先氧化金属颗粒下面的硅形成SiO2,然后被HF刻蚀掉,随着金属粒子往下沉积,形成坑洞。在通过HF-HNO3体系,扩开孔洞形成纳米绒面。
沉积金属离子槽温度窗口需要管控在25摄氏度左右,原机台沉积金属离子槽冷却控温结构为两套循环装置,外循环为冷水机进行循环,冷却水由外围厂务提供,内循环为沉积金属离子槽循环泵进行循环,内外循环通过热交换器进行热量交换,循环条件为槽内没有花篮时进行。更改后的冷却控温结构为外围厂务冷却水直接链接热交换器,冷却水进水端加气动阀控制开关,并且进行循环条件软件优化,槽内无篮且药液检测温度超过25度时进行内外循环,进水端气动阀打开,由厂务冷却水带走药液的反应温度。内循环结构不变,外循环为冷却水进热交换器进行。去除了外置的冷水机,首先减少冷水机固定资产的支出,同时减少电力成本和维护成本,降低机台故障率,提高产能,也避免冷水机异常,导致乙二醇进入槽内,影响槽内药液,导致效率良率影响。
发明内容
本实用新型的目的是提供一种黑硅沉积金属离子槽的冷却控温结构。
一种黑硅沉积金属离子槽的冷却控温结构,包括:沉积金属离子槽、内循环泵、热交换器、外围厂务冷却水进出端口、气动阀、透明观察窗、热成像仪、控制器、指示灯;其中:沉积金属离子槽的侧面内槽通过一根导管与热交换器的热媒进口相连通,上述的导管上安装有内循环泵;所述的沉积金属离子槽的底部内槽通过一根导管与热交换器的热媒出口相连通;热交换器的冷媒进口通过一根导管与外围厂务冷却水进出端口相连通,上述的导管上安装有气动阀;所述的沉积金属离子槽的侧面外壁上开设有一个透明观察窗;所述的透明观察窗的左侧外壁上固定的安装有热成像仪。
一种黑硅沉积金属离子槽的冷却控温结构,其中:所述的沉积金属离子槽的侧面上还固定的安装有控制器、指示灯;所述的热成像仪、指示灯分别与控制器相连。
一种黑硅沉积金属离子槽的冷却控温结构,其中:沉积金属离子槽的外壁上安装有均匀分布的温差发电片,上述的温差发电片通过导线与一个蓄电装置相连。
本实用新型的有益效果是:能够防止冷水机异常造成槽内药液污染,从而导致电池片效率损失和药液,造成经济损失,且减少了当机时间,其设计经济环保,且寿命较长。
附图说明
图1:本实用新型结构的示意图。
图2:本实用新型热成像仪的位置示意图。
附图标记:沉积金属离子槽1、内循环泵2、热交换器3、外围厂务冷却水进出端口4、气动阀5、透明观察窗6、热成像仪7、控制器8、指示灯9。
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江西展宇新能源股份有限公司,未经江西展宇新能源股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201720896762.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:墨盒、喷墨打印机及墨盒的检测方法
- 下一篇:汽车线束下料喷码一体式工装机构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造