[实用新型]半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

前端结构，所述前端结构具有前端标记；

位于所述前端结构上的介质层；

位于所述介质层中的通孔，所述通孔暴露出所述前端标记。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述介质层的厚度大于等于20μm。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述前端结构为衬底、外延层、氧化硅层、氮化硅层、碳层或金属层中的一种。

4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述介质层为外延层、氧化硅层、氮化硅层、碳层或金属层中不同于所述前端结构的另一种。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述通孔与所述前端标记的数量相同且一一对应。

6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述通孔与所述前端标记图形形状匹配。

7.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述通孔的形状为矩形，所述前端标记具有一外接矩形，所述通孔与所述外接矩形中心重叠且包围所述外接矩形。

8.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述通孔各边到所述中心距离为D，其中D＝D0+C，D0为所述外接矩形的边到所述中心的距离，C为一表示距离的常数。

9.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，C≤50μm。