[实用新型]半导体结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，特别是涉及一种半导体结构。

背景技术

在目前的IC生产中，经常会遇到需要利用厚介质层来满足产品要求。厚介质层对光刻标记存在非常致命的影响，厚度越厚，光刻标记形成的台阶差越小，无法实现光刻的正常对位。

请参考图1-图3，示出了一种介质层对位方法。包括如下步骤：

如图1所示，在硅片1正面2应用对偏精度非常高曝光设备，预留两个对称的对位标记3；

如图2所示，通过双面曝光机使用正面2的对位标记3，进行背面曝光，并通过深槽刻蚀的方法，在背面4预留双面曝光机使用的辅助标记5；

如图3所示，应用所述背面4的辅助标记5进行正面2图形曝光，实现厚介质层曝光，由此通过多层光刻层的叠加来完成介质层的对位。

由于双面曝光机台对偏能力限制(对偏最小控制极限量控制在1.5μm)，无法满足现在制品更加精细化的对偏要求。

另外，采用双面曝光机还容易对硅片产生划伤，容易引起报废。

于是，如何改善上述缺陷，成为本领域技术人员亟待解决的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种半导体结构，改善厚介质层对位问题，并减少硅片受损。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种半导体结构，包括：

前端结构，所述前端结构具有前端标记；

位于所述前端结构上的介质层；

位于所述介质层中的通孔，所述通孔暴露出所述前端标记。

可选的，对于所述的半导体结构，所述介质层的厚度大于等于20μm。

可选的，对于所述的半导体结构，所述前端结构为衬底、外延层、氧化硅层、氮化硅层、碳层或金属层中的一种。

可选的，对于所述的半导体结构，所述介质层为外延层、氧化硅层、氮化硅层、碳层或金属层中不同于所述前端结构的另一种。

可选的，对于所述的半导体结构，所述通孔与所述前端标记的数量相同且一一对应。

可选的，对于所述的半导体结构，所述通孔与所述前端标记图形形状匹配。

可选的，对于所述的半导体结构，所述通孔的形状为矩形，所述前端标记具有一外接矩形，所述通孔与所述外接矩形中心重叠且包围所述外接矩形。

可选的，对于所述的半导体结构，所述通孔各边到所述中心距离为D，其中D＝D0+C，D0为所述外接矩形的边到所述中心的距离，C为一表示距离的常数。

可选的，对于所述的半导体结构，C≤50μm。

与现有技术相比，本实用新型提供的一种半导体结构，包括前端结构，所述前端结构具有前端标记；位于所述前端结构上的介质层；位于所述介质层中的通孔，所述通孔暴露出所述前端标记。由此对厚介质层露出前端标记，实现正常光刻对位，改善现有多次曝光的转移方式带来的对偏问题，消除厚介质层无法对位问题，并且规避了双面曝光，有效防止对硅片的刮擦划伤，确保了较佳的对准质量，有利于后续膜层的对准。

附图说明

图1-图3示出了一种介质层对位方法中的结构示意图；

图4为本实用新型介质层对位方法的流程图；

图5为本实用新型一实施例中提供前端结构的示意图；

图6为本实用新型一实施例中在前端结构上布置前端标记的示意图；

图7为本实用新型一实施例中在前端结构上形成介质层的示意图；

图8为本实用新型一实施例中在介质层上涂覆光刻胶并开口的示意图；

图9为本实用新型一实施例中对一片硅片进行曝光时的示意图；

图10为本实用新型一实施例中一个曝光单元的示意图；

图11为本实用新型一实施例中刻蚀介质层形成通孔的示意图；

图12为本实用新型一实施例中获得的半导体结构的示意图；

图13为本实用新型一实施例中通孔和前端标记的俯视示意图；

图14为本实用新型另一实施例中通孔和前端标记的俯视示意图。

具体实施方式

下面将结合示意图对本实用新型的介质层对位方法及半导体结构进行更详细的描述，其中表示了本实用新型的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本实用新型，而仍然实现本实用新型的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本实用新型的限制。