[实用新型]光通讯薄膜及光电二极管有效
| 申请号： | 201720903318.X | 申请日： | 2017-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN207052614U | 公开（公告）日： | 2018-02-27 |
| 发明（设计）人： | 王明利;曹华燕;陈国彦 | 申请（专利权）人： | 深圳正和捷思科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/107 | 分类号： | H01L31/107;H01L31/0336 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所44287 | 代理人： | 胡海国 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 通讯 薄膜 光电二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种光通讯薄膜，其特征在于，所述光通讯薄膜由下至上依次设置有n型砷化镓衬底层、厚度为195nm-205nm的p型砷化镓层和厚度为795nm-805nm的锗层。
2.如权利要求1所述的光通讯薄膜，其特征在于，所述p型砷化镓层的厚度为200nm。
3.如权利要求1至2任一项所述的光通讯薄膜，其特征在于，所述锗层的厚度为800nm。
4.如权利要求1至2任一项所述的光通讯薄膜，其特征在于，所述n型砷化镓衬底层的厚度为195nm-205nm。
5.如权利要求4所述的光通讯薄膜，其特征在于，所述n型砷化镓衬底层的厚度为200nm。
6.一种光电二极管，其特征在于，所述光电二极管包括如权利要求1至5任一项所述的光通讯薄膜。
7.如权利要求6所述的光电二极管，其特征在于，所述光电二极管的正向电压为0.1V-0.3V。
8.如权利要求7所述的光电二极管，其特征在于，所述光电二极管的正向电压为0.2V。
9.如权利要求6至8任一项所述的光电二极管，其特征在于，所述光电二极管的反向击穿电压为2.3V-2.8V。
10.如权利要求9所述的光电二极管，其特征在于，所述光电二极管的反向击穿电压为2.8V。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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