[实用新型]光通讯薄膜及光电二极管有效
| 申请号： | 201720903318.X | 申请日： | 2017-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN207052614U | 公开（公告）日： | 2018-02-27 |
| 发明（设计）人： | 王明利;曹华燕;陈国彦 | 申请（专利权）人： | 深圳正和捷思科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/107 | 分类号： | H01L31/107;H01L31/0336 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所44287 | 代理人： | 胡海国 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 通讯 薄膜 光电二极管 | ||
技术领域
本实用新型涉及光通讯技术领域，特别涉及光通讯薄膜及光电二极管。
背景技术
近年来，光纤通信的发展对光电探测器提出了更高的要求，光电探测器应满足：在系统工作波长上有高响应度、高响应速度、最低噪声。
现有技术中的光纤通讯器件因材料生长困难，因此成本较高，因此应用也受到了很大的限制。
实用新型内容
本实用新型的主要目的是提供一种光通讯薄膜，旨在解决光电探测器件材料生长困难导致成本较高的问题。
为实现上述目的，本实用新型提出的光通讯薄膜，所述光通讯薄膜由下至上依次设置有n型砷化镓衬底层、厚度为195nm-205nm的p型砷化镓层和厚度为795nm-805nm的锗层。
优选地，所述p型砷化镓层的厚度为200nm。
优选地，所述锗层的厚度为800nm。
优选地，所述n型砷化镓衬底层的厚度为195nm-205nm。
优选地，所述n型砷化镓衬底层的厚度为200nm。
本实用新型还提出一种光电二极管，所述光电二极管包括上面任一项所述的光通讯薄膜。
优选地，所述光电二极管的正向电压为0.1V-0.3V。
优选地，所述光电二极管的反向击穿电压为2.3V-2.8V。
优选地，所述光电二极管的正向电压为0.2V。
优选地，所述光电二极管的反向击穿电压为2.8V。
本实用新型技术方案通过采用由下至上依次设置有n型砷化镓衬底层、厚度为195nm-205nm的p型砷化镓层和厚度为795nm-805nm的锗层的光通讯薄膜结构，由于上述各组分的结构及层级厚度结合形成的光通讯薄膜制备简单可行且表征特性良好，降低了光电探测器件材料生长难度的同时降低了成本。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
图1为本实用新型实施例的光通讯薄膜的结构示意图。
附图标号说明：
本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
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