[实用新型]一种晶体管有效
| 申请号： | 201720906185.1 | 申请日： | 2017-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN206976351U | 公开（公告）日： | 2018-02-06 |
| 发明（设计）人： | 王明利;曹华燕;周培 | 申请（专利权）人： | 深圳正和捷思科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/417;H01L29/423 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所44287 | 代理人： | 胡海国 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶体管，其特征在于，所述晶体管由下至上依次设置有n型砷化镓衬底、p型砷化镓外延层、氮化镓沟道层、氮化铝隔离层、铟铝砷空穴阻挡层、绝缘层、钝化层和电极，所述电极包括源极、栅极和漏极，所述源极和所述漏极间隔设置于所述栅极两侧，所述栅极从所述钝化层的顶端延伸至所述绝缘层。
2.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述p型砷化镓外延层的厚度为200nm-300nm。
3.如权利要求2所述的晶体管，其特征在于，所述p型砷化镓外延层的厚度为200nm。
4.如权利要求2所述的晶体管，其特征在于，所述氮化镓沟道层的厚度为100nm-150nm。
5.如权利要求4所述的晶体管，其特征在于，所述氮化镓沟道层的厚度为150nm。
6.如权利要求1至5任一项所述的晶体管，其特征在于，所述氮化铝隔离层的厚度为75nm-85nm。
7.如权利要求6所述的晶体管，其特征在于，所述氮化铝隔离层的厚度为80nm。
8.如权利要求6所述的晶体管，其特征在于，所述铟铝砷空穴阻挡层的厚度为395nm-405nm。
9.如权利要求8所述的晶体管，其特征在于，所述铟铝砷空穴阻挡层的厚度为400nm。
10.如权利要求1至5任一项所述的晶体管，其特征在于，所述钝化层为氮化硅钝化膜；且/或，所述电极为金电极。
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