[实用新型]一种DFN22‑3L型引线框架有效
申请号: | 201720923290.6 | 申请日: | 2017-07-27 |
公开(公告)号: | CN206921814U | 公开(公告)日: | 2018-01-23 |
发明(设计)人: | 徐远 | 申请(专利权)人: | 苏州矽航半导体有限公司 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495 |
代理公司: | 苏州睿昊知识产权代理事务所(普通合伙)32277 | 代理人: | 伍见 |
地址: | 215011 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 dfn22 引线 框架 | ||
技术领域
本实用新型涉及半导体框架技术,尤其涉及一种DFN2*2-3L型引线框架。
背景技术
引线框架作为集成电路的芯片载体,是一种借助于键合材料(金丝、铝丝、铜丝)实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接,形成电气回路的关键结构件,它起到了和外部导线连接的桥梁作用,绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架,是电子信息产业中重要的基础材料。
DFN2*2-3L(DFN是一种新型的电子封装工艺是由双边或方形扁平无铅封装,2*2指的是器件外观尺寸长和宽为2mm*2mm,3L是指器件有3个引脚焊盘)是器件封装形式,为了更好的使用,需要将现有框架结构进一步做更改优化。
现有的DFN2*2-3L封装的框架结构上3个引脚焊盘都是独立放置的,在使用过程中,由于底部的2个第二引脚焊盘较小,不管是在贴片还是在焊接时,都有较大的概率出现虚焊的不良现象。另外由于底部的2个第二引脚焊盘是独立的,在浪涌冲击的情况下,由于分配的过流能力有所偏差,会导致器件芯片提前被损坏的情况。
发明内容
本实用新型克服了现有技术的不足,在已有的框架结构和尺寸不变的情况下,重新改变框架结构,使得原有的问题得以解决。
为达到上述目的,本实用新型采用的技术方案为:一种DFN2*2-3L型引线框架,包括:框架本体,所述框架本体上设有一个第一引脚焊盘和两个第二引脚焊盘,其中第一引脚焊盘的尺寸为1.5mm*1.0mm,第二引脚焊盘的尺寸为0.3mm*0.4mm,两个所述第二引脚焊盘位于所述框架本体底部,两个所述第二引脚焊盘之间通过内部芯片框架电通流在一起。
本实用新型一个较佳实施例中,所述框架本体的尺寸为2mm*2mm。
本实用新型一个较佳实施例中,两个所述第二引脚焊盘整体形成的内部芯片框架尺寸为0.45mm*1.7mm。
本实用新型一个较佳实施例中,两个所述第二引脚焊盘之间的内部芯片框架尺寸为0.3mm*0.9mm。
本实用新型一个较佳实施例中,两个所述第二引脚焊盘左右对称的设置在所述框架本体底部。
本实用新型一个较佳实施例中,所述第一引脚焊盘与两个所述第二引脚焊盘之间均保持独立。
本实用新型一个较佳实施例中,所述第一引脚焊盘位于所述框架本体上部。
本实用新型解决了背景技术中存在的缺陷,本实用新型具备以下有益效果:在DFN2*2-3L型的框架结构尺寸不变的情况下,将原有的独立存在的两个第二引脚焊盘的框架连在一起,使得器件在焊接和贴片的过程中更加的方便,容错率大大的降低。并且在使用过程中,由于两个第二引脚焊盘连一起,在浪涌的冲击下,能量的释放会更加的均匀和快速,不容易损坏芯片。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明;
图1是本实用新型的优选实施例的结构图;
图2是现有技术的引线框架的结构图;
图中:1、第一引脚焊;2、第二引脚焊。
具体实施方式
现在结合附图和实施例对本实用新型作进一步详细的说明,这些附图均为简化的示意图,仅以示意方式说明本实用新型的基本结构,因此其仅显示与本实用新型有关的构成。
如图1所示,一种DFN2*2-3L型引线框架,包括:框架本体,框架本体上设有一个第一引脚焊盘和两个第二引脚焊盘,其中框架本体的尺寸为2mm*2mm,第一引脚焊盘的尺寸为1.5mm*1.0mm,第二引脚焊盘的尺寸为0.3mm*0.4mm,两个第二引脚焊盘左右对称的位于框架本体底部,两个第二引脚焊盘之间通过内部芯片框架电通流在一起。
两个第二引脚焊盘整体形成的内部芯片框架尺寸为0.45mm*1.7mm,两个第二引脚焊盘之间的内部芯片框架尺寸为0.3mm*0.9mm。第一引脚焊盘与两个第二引脚焊盘之间均保持独立。第一引脚焊盘位于框架本体上部。
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