[实用新型]一种散热装置及其IGBT模组

说明书

技术领域

本公开涉及散热器技术领域，具体地，涉及一种散热装置及其IGBT模组。

背景技术

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，广泛应用于各种电子设备上。随着变频器等高电流电子设备的发展，对于IGBT芯片的性能提出了更高的要求，IGBT芯片承受更高的电流，其工作时产生的热量不断增加。现有IGBT芯片直接封装采用真空焊接技术，焊接过程中产生气泡或者焊料层不均匀都会使焊层形成形状大小不同的空洞；焊层中的空洞会引发电流密集效应导致热电击穿、热传导不良等。

因此亟需一种新的散热装置克服现有技术中真空焊接的缺陷，得到热传导效果更好的散热装置。

实用新型内容

本公开的目的是提供一种散热装置，该散热装置具有良好的热传导效果，结构简单，加工工艺难度低。

为了实现上述目的，本公开提供一种散热装置，所述散热装置包括导热体和散热本体，所述导热体为陶瓷覆铝导热体；所述散热本体上一体成型地结合有一个或多个陶瓷覆铝导热体。

通过上述技术方案，本公开提供的散热装置生产工艺简单，各层面之间的结合面无空隙，具有更高的连接强度和热传导效率，并且铝层较软使散热装置耐冷热冲击性能更优越。

可选地，所述散热本体为铝硅碳散热本体；所述铝硅碳散热本体包括碳化硅多孔骨架和填充在所述碳化硅多孔骨架内的铝。

可选地，所述陶瓷覆铝导热体包括陶瓷绝缘板和设置于所述陶瓷绝缘板的相对的两个表面上的第一铝层和第二铝层，并且所述陶瓷绝缘板通过所述第一铝层一体成型地连接在所述散热本体上；所述陶瓷绝缘板将所述第二铝层与所述第一铝层隔离。

可选地，所述散热本体与所述第一铝层相连接的表面为平整表面。

可选地，所述陶瓷绝缘板为氧化铝陶瓷板、增韧氧化铝陶瓷板、氮化铝陶瓷板或氮化硅陶瓷板；所述第一铝层和所述第二铝层为纯铝层和/或铝合金层。

可选地，所述第一铝层的厚度为0.02～0.15mm，所述陶瓷绝缘板的厚度为0.25～1mm，所述第二铝层的厚度为0.02～1.0mm。

可选地，所述第二铝层与陶瓷绝缘板连接表面的相对表面还一体成型地连接有铜层，所述铜层的厚度为0.2～0.6mm。

可选地，所述散热本体上还设置有一个或多个散热柱；所述散热柱的一端与散热本体固定连接，散热柱的另一端为自由端。

可选地，所述散热柱与所述陶瓷覆铝导热体分别设置在所述散热本体的相对的两个表面上；所述散热柱选自铝柱、铝合金柱和铝覆铜柱中的至少一种；所述散热柱一体成型地连接在所述散热本体上。

可选地，所述散热本体上一体成型地结合有多个陶瓷覆铝导热体时，不同的陶瓷覆铝导热体彼此间隔地设置。

本公开还提供了一种IGBT模组，该IGBT模组包括IGBT电路板和如上所述的散热装置。

本公开的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。

附图说明

附图是用来提供对本公开的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本公开，但并不构成对本公开的限制。在附图中：

图1是不具有铜层的散热装置的侧视图。

图2是具有铜层的散热装置的侧视图。

附图标记说明

1 散热本体2 陶瓷绝缘板

3 第一铝层4 第二铝层

5 散热柱6 铜层

具体实施方式

以下结合附图对本公开的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本公开，并不用于限制本公开。

为了实现上述目的，本公开提供一种散热装置，所述散热装置包括导热体和散热本体1，所述导热体为陶瓷覆铝导热体；所述散热本体上一体成型地结合有一个或多个陶瓷覆铝导热体。

通过上述技术方案，本公开提供的散热装置生产工艺简单，各层面之间的结合面无空隙，具有更高的连接强度和热传导效率，并且陶瓷覆铝表层较软使散热装置耐冷热冲击性能更优越。