[实用新型]一种存储器高压防耦合高压泄放电路有效
| 申请号： | 201720930504.2 | 申请日： | 2017-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN206931365U | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | 刘吉平;朱金桥;唐伟 | 申请（专利权）人： | 深圳市航顺芯片技术研发有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/22 | 分类号： | G11C16/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 高压 耦合 电路 | ||
1.一种存储器高压防耦合高压泄放电路，包括相邻的非挥发存储器单元第一存储单元、第二存储单元、节点A以及节点B，所述节点A和节点B之间设有寄生电容Cg，其特征在于：所述节点A和节点B之间串联有附属电路，所述附属电路包括电阻串、电压比较器以及NMOS开关管，附属电路设有的电阻串分压给电压比较器，所述电压比较器控制NMOS开关管通断，节点B瞬间拉低到低电平，能够削弱Cg耦合的高电压，保护了右边存储单元不会被误写入。
2.如权利要求1所述的一种存储器高压防耦合高压泄放电路，其特征在于：所述电压比较器输入端分别连接电阻串节点和参考电压端，形成电压比较电路，所述电压比较器的输出端和NMOS开关管的栅极相连起到控制NMOS开关管的源极与漏极的通断，所述NMOS开关管的源极与漏极分别与地线和节点B相连。
3.如权利要求2所述的一种存储器高压防耦合高压泄放电路，其特征在于：所述电阻串设有串联的第一电阻、第二电阻以及第三电阻，所述第三电阻为可调节电阻且接地，所述第三电阻与第二电阻连接端与电压比较器负端连接，所述电压比较器的正端和参考源相连形成开环电压比较器电路。
4.如权利要求3所述的一种存储器高压防耦合高压泄放电路，其特征在于：所述第一电阻、第二电阻以及第三电阻为阱电阻。
5.如权利要求2所述的一种存储器高压防耦合高压泄放电路，其特征在于：所述NMOS管的宽长比大于十比一。
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